中国科学院半导体研究所张兴旺获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院半导体研究所申请的专利钙钛矿发光二极管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115835674B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211697423.4，技术领域涉及：H10K50/15；该发明授权钙钛矿发光二极管及其制备方法是由张兴旺;江季;游经碧;尹志岗设计研发完成，并于2022-12-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本钙钛矿发光二极管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体光电子器件领域，具体涉及一种钙钛矿发光二极管及其制备方法，该钙钛矿发光二极管包括：衬底；透明导电电极，设置于衬底上；有机空穴传输层，设置在透明导电电极上，并覆盖透明导电电极的部分区域，使透明导电电极的另一部分区域露出；二维钙钛矿空穴传输层，覆盖于有机空穴传输层上；间隔层，覆盖于二维钙钛矿空穴传输层上；钙钛矿发光层，覆盖于间隔层上；电子传输层，覆盖于钙钛矿发光层上；金属导电电极，覆盖于电子传输层上，包括N个间隔设置的电极单元，N为正整数。本发明以二维钙钛矿代替传统有机空穴传输层作为空穴传输材料，可以提高空穴传输性能，有效提高发光二极管的亮度，实现更好的载流子注入平衡。
本发明授权钙钛矿发光二极管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种钙钛矿发光二极管，包括： 衬底； 透明导电电极，设置于所述衬底上； 有机空穴传输层，设置在所述透明导电电极上，并覆盖所述透明导电电极的部分区域，使所述透明导电电极的另一部分区域露出； 二维钙钛矿空穴传输层，覆盖于所述有机空穴传输层上，其中所述二维钙钛矿空穴传输层的材质为苯乙胺铅氯、苯乙胺铅溴或苯乙胺铅碘中的一种； 间隔层，覆盖于所述二维钙钛矿空穴传输层上； 钙钛矿发光层，覆盖于所述间隔层上； 电子传输层，覆盖于所述钙钛矿发光层上； 金属导电电极，覆盖于所述电子传输层上，包括N个间隔设置的电极单元，N为正整数。
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