格科微电子(上海)有限公司李继刚获国家专利权
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龙图腾网获悉格科微电子(上海)有限公司申请的专利背照式图像传感器的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115881740B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111155628.5，技术领域涉及：H10F39/12；该发明授权背照式图像传感器的形成方法是由李继刚设计研发完成，并于2021-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本背照式图像传感器的形成方法在说明书摘要公布了：一种背照式图像传感器的形成方法，包括：提供第一半导体衬底，所述第一半导体衬底具有相对的第一面和第二面；对所述第二面进行减薄处理；在所述第一半导体衬底内形成若干深沟槽；填充流动性材料至所述深沟槽；采用UV光固化工艺照射所述流动性材料，形成第一隔离结构以填充所述深沟槽。通过在所述深沟槽内形成流动性材料，采用UV光固化工艺照射所述流动性材料，形成第一隔离结构以填充所述深沟槽。由于UV光固化工艺的温度较低，能够减少对所述第一半导体衬底上形成的器件结构造成的损伤。另外，所述流动性材料具有很好的填充性，能够适用深宽比较大的所述深沟槽的填充，使得最终形成的所述第一隔离结构的致密性较高，能够有效提升隔离效果。
本发明授权背照式图像传感器的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种背照式图像传感器的形成方法，其特征在于，包括： 提供第一半导体衬底，所述第一半导体衬底具有相对的第一面和第二面； 对所述第二面进行减薄处理； 在所述第一半导体衬底内形成若干深沟槽； 填充流动性材料至所述深沟槽； 采用UV光固化工艺照射所述流动性材料，形成第一隔离结构以填充所述深沟槽；其中， 所述第一半导体衬底内形成有若干感光区，所述感光区内具有第一离子； 填充流动性材料至所述深沟槽的工艺采用等离子体增强化学气相沉积工艺； 所述等离子体增强化学气相沉积工艺的工艺参数包括：反应物包括：硅前驱物、掺杂气体、含有等离子气体的等离子体，所述掺杂气体使得形成的所述第一隔离结构中掺杂有与所述第一离子反型的离子，以提升所述第一隔离结构对相邻所述感光区的隔离效果。
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