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龙图腾网获悉普冉半导体(上海)股份有限公司申请的专利闪存的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115884597B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310034211.6，技术领域涉及：H10B41/35；该发明授权闪存的制造方法是由叶晓设计研发完成，并于2023-01-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本闪存的制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种闪存的制造方法，包括：步骤一、提供半导体衬底。步骤二、形成存储单元的第一栅极结构。步骤三、形成外围器件的第二栅极结构。步骤四、形成第一层侧墙，包括：步骤41、形成第一侧墙材料层。步骤42、形成第二侧墙材料层。步骤43、进行刻蚀以在各栅极结构侧面自对准形成第二子侧墙。步骤44、将存储单元区中各第二子侧墙都去除。第一子侧墙由位于各栅极结构侧面的第一侧墙材料层组成。第一栅极结构的第一层侧墙由侧面的第一子侧墙组成。第二栅极结构的第一层侧墙由侧面的第一和第二子侧墙叠加而成。步骤五、沉积加刻蚀工艺在各栅极结构的侧面自对准形成第二层侧墙。本发明能减少存储区侧墙宽度和同时增加外围区侧墙宽度。

本发明授权闪存的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种闪存的制造方法，其特征在于，包括如下步骤： 步骤一、提供半导体衬底，所述半导体衬底上同时包括闪存的存储单元区以及外围器件区； 步骤二、在所述存储单元区形成存储单元的第一栅极结构； 步骤三、在所述外围器件区形成外围器件的第二栅极结构； 所述第一栅极结构的宽度小于所述第二栅极结构的宽度，所述第一栅极结构之间的间距小于所述第二栅极结构之间的间距，所述第二栅极结构的耐压大于所述第一栅极结构的耐压； 步骤四、形成第一层侧墙，包括如下分步骤： 步骤41、形成第一侧墙材料层，所述第一侧墙材料层覆盖在所述第一栅极结构的侧面和顶部表面以及所述第二栅极结构的侧面和顶部表面以及所述第一栅极结构和所述第二栅极结构外部表面上； 步骤42、在所述第一侧墙材料层表面上形成第二侧墙材料层； 步骤43、对所述第二侧墙材料层进行全面的各向异性刻蚀以在所述第一栅极结构侧面以及所述第二栅极结构侧面形成由剩余的所述第二侧墙材料层组成的第二子侧墙，所述第一栅极结构的顶部表面、所述第二栅极结构的顶部表面以及所述第一栅极结构和所述第二栅极结构外部表面上的所述第二侧墙材料层都被去除； 步骤44、光刻打开所述存储单元区以及覆盖所述外围器件区，对所述第二侧墙材料层进行刻蚀将所述存储单元区中各所述第二子侧墙都去除； 第一子侧墙由位于所述第一栅极结构侧面以及所述第二栅极结构侧面的所述第一侧墙材料层组成； 所述第一栅极结构的第一层侧墙由所述第一栅极结构侧面的所述第一子侧墙组成； 所述第二栅极结构的第一层侧墙由所述第二栅极结构侧面的所述第一子侧墙和所述第二子侧墙叠加而成； 步骤五、采用第三侧墙材料层的沉积加刻蚀工艺在各所述第一栅极结构的侧面的所述第一层侧墙侧面和各所述第二栅极结构的侧面的所述第一层侧墙的侧面自对准形成第二层侧墙。

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