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龙图腾网获悉上海精积微半导体技术有限公司申请的专利一种半导体器件的电性能参数自动并行测试方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115902566B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211694404.6，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权一种半导体器件的电性能参数自动并行测试方法及系统是由孙召璞设计研发完成，并于2022-12-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体器件的电性能参数自动并行测试方法及系统在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体器件的电性能参数自动并行测试方法及系统，该半导体器件的电性能参数自动并行测试方法包括：基于目标分析单元中的测试端口，对每个目标分析单元中的所有待测器件进行两两组合判别，以获取相应目标分析单元若干层级的并行测试组，且并行测试组中的待测器件之间没有共用的测试端口。本发明通过将每一个测试单元中的所有待测器件进行两两组合判别，以获取相应测试单元若干层级的并行测试组，并行测试组中的待测器件之间没有共用的测试端口，生成对所有测试单元的待测器件进行自动并行测试的新的测试文件，实现了对半导体器件的电性能参数自动并行测试的目的，降低了测试操作的难度，提高了测试效率。

本发明授权一种半导体器件的电性能参数自动并行测试方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的电性能参数自动并行测试方法，其特征在于，包括： 基于初始测试文件，获取所有测试单元的结构信息，每个所述测试单元包括若干待测器件和若干测试端口，所述待测器件与至少一个所述测试端口连接，所述测试端口还用于连接测试系统以对所述待测器件进行所述电性能参数的测试； 基于所述测试单元的结构信息，获取至少一个目标分析单元，所述目标分析单元为包括至少两个所述待测器件的所述测试单元； 基于所述目标分析单元中的所述测试端口，对每个所述目标分析单元中的所有所述待测器件进行两两组合判别，以获取相应所述目标分析单元若干层级的并行测试组，所述并行测试组包括至少两个所述待测器件，且所述并行测试组中的所述待测器件之间没有共用的所述测试端口； 按照所述目标分析单元若干层级的并行测试组的层级顺序，建立相应所述目标分析单元的并行测试顺序； 基于每个所述目标分析单元的并行测试顺序，生成新的测试文件以对所有所述测试单元的所述待测器件进行自动并行测试。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海精积微半导体技术有限公司，其通讯地址为：201700 上海市青浦区赵巷镇沪青平公路2855弄1-72号B座12层D区1207室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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