中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司刘达获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115910928B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111015497.0，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权半导体结构及其形成方法是由刘达设计研发完成，并于2021-08-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，所述方法首先形成第一阱区和覆盖所述第一阱区的第一鳍部材料层，之后，再形成第二阱区和覆盖所述第二阱区的第二鳍部材料层，可以实现第一阱区与所述第一鳍部材料层之间及第二阱区与所述第二鳍部材料层之间的准确对准，从而可以准确实现第一阱区与所述第一鳍部层之间及第二阱区与所述第二鳍部层之间的对准。同时，第一鳍部材料层非采用先外延生长而后通过刻蚀形成，可以避免所形成的第一鳍部材料层的底部出现圆角，以及避免刻蚀形成第一鳍部材料层的过程中对衬底的第二区域的顶部造成损伤。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供初始基底，所述初始基底包括第一区域和第二区域； 在所述第二区域上形成第一阱区掩膜层； 以所述第一阱区掩膜层为掩膜对所述第一区域执行第一阱离子注入，在第一区域中形成第一阱区； 形成覆盖所述第一阱区的第一鳍部材料层； 形成覆盖所述第一鳍部材料层的第二阱区掩膜层； 形成所述第二阱区掩膜层之后，去除所述第一阱区掩膜层； 以所述第二阱区掩膜层为掩膜对所述第二区域执行第二阱离子注入，在所述第二区域中形成第二阱区； 形成覆盖所述第二阱区的第二鳍部材料层； 形成所述第二鳍部材料层之后，去除所述第二阱区掩膜层； 去除所述第二阱区掩膜层之后，平坦化所述第一鳍部材料层、所述第二鳍部材料层，使得所述第一鳍部材料层和所述第二鳍部材料层的顶部表面相齐平，形成第一鳍部层和第二鳍部层； 刻蚀所述第一鳍部层、所述第二鳍部层和部分厚度的所述初始基底，形成衬底和位于所述衬底上分立的第一鳍部和第二鳍部。
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