北京知存科技有限公司王春明获国家专利权
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龙图腾网获悉北京知存科技有限公司申请的专利一种闪存阵列及闪存芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115988879B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310104404.4，技术领域涉及：H10B41/10；该发明授权一种闪存阵列及闪存芯片是由王春明设计研发完成，并于2023-01-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种闪存阵列及闪存芯片在说明书摘要公布了：本发明公开了一种闪存阵列及闪存芯片。闪存阵列包括阵列排布的多个闪存模块；闪存模块包括一个存算单元和至少一个虚设单元；存算单元与虚设单元相间排布；虚设单元包括第一衬底、位于第一衬底内的第一漏极区域、第一源极区域和第一沟道区域、及位于第一衬底上的第一选择栅极、第一控制栅极和第一浮置栅极；其中，第一控制栅极与第一浮置栅极位于第一选择栅极的第一侧；第一漏极区域在第一衬底的正投影位于第一选择栅极在第一衬底的正投影的第二侧；虚设单元还包括第一硅化物结构，第一硅化物结构位于第一漏极区域远离第一衬底的表面，且第一硅化物结构与第一衬底不连接。本发明实施例的技术方案提高了对存算单元的编程效率和准确性。
本发明授权一种闪存阵列及闪存芯片在权利要求书中公布了：1.一种闪存阵列，其特征在于，包括阵列排布的多个闪存模块；所述闪存模块包括一个存算单元和至少一个虚设单元； 所述存算单元与所述虚设单元相间排布，所述虚设单元不进行存储和编程，且设置于两个存算单元之间； 所述虚设单元包括第一衬底、位于所述第一衬底内的第一漏极区域、第一源极区域和第一沟道区域、及位于所述第一衬底上的第一选择栅极、第一控制栅极和第一浮置栅极；其中，所述第一控制栅极与所述第一浮置栅极位于所述第一选择栅极的第一侧；所述第一漏极区域在所述第一衬底的正投影位于所述第一选择栅极在所述第一衬底的正投影的第二侧； 所述虚设单元还包括第一硅化物结构，所述第一硅化物结构位于所述第一漏极区域远离所述第一衬底的表面，且所述第一硅化物结构与所述第一衬底不连接。
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