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龙图腾网获悉北京知存科技有限公司申请的专利一种闪存单元阵列及其制备工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115988882B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310103192.8，技术领域涉及：H10B41/35；该发明授权一种闪存单元阵列及其制备工艺是由王春明设计研发完成，并于2023-01-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种闪存单元阵列及其制备工艺在说明书摘要公布了：本发明公开了一种闪存单元阵列及其制备工艺。其中，源线沿第一方向在所述衬底中延伸分布；位线沿第二方向在衬底中延伸分布；第一方向与第二方向相交；源线的两侧分别沿第一方向设置堆叠的浮栅和控制栅，形成堆叠栅极；选择栅设置在堆叠栅极远离源线的一侧；在相邻的堆叠栅极之间擦除栅沿第一方向延伸分布；其中，若位线远离选择栅的一侧设置漏极，则在第二方向上形成共用擦除栅的闪存单元；在第一方向上，相邻的闪存单元之间位线与源线在第二方向上形成虚设单元，其中，在虚设单元中，擦除栅的侧壁与浮栅的侧壁不接触。本发明提供的技术方案，提高了闪存单元阵列的数据保持能力和功能稳定性。

本发明授权一种闪存单元阵列及其制备工艺在权利要求书中公布了：1.一种闪存单元阵列，其特征在于，包括：衬底、源线、第一位线、第二位线、浮栅、控制栅、选择栅和擦除栅； 所述源线沿第一方向在所述衬底中延伸分布；所述第一位线和第二位线沿第二方向在所述衬底中延伸分布；所述第一方向与所述第二方向相交； 所述源线的两侧分别沿所述第一方向设置堆叠的所述浮栅和所述控制栅，形成堆叠栅极；所述选择栅设置在所述堆叠栅极远离所述源线的一侧； 在相邻的所述堆叠栅极之间所述擦除栅沿所述第一方向不连续的延伸分布； 所述第一位线远离所述选择栅的一侧设置漏极，在所述第二方向上形成共用所述擦除栅的闪存单元； 在所述第一方向上，相邻的闪存单元之间的所述第二位线与所述源线在所述第二方向上形成虚设单元，其中，所述擦除栅的侧壁与所述虚设单元的浮栅的侧壁通过所述擦除栅的第一中断区域或中断沟槽隔离，其中所述第一中断区域用于增大所述虚设单元的浮栅与相邻闪存单元的擦除栅之间的间距，或者，所述中断沟槽用于断开所述虚设单元的浮栅与所述源线和所述擦除栅的连接。

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