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龙图腾网获悉无锡邑文电子科技有限公司申请的专利一种ALD设备仿真方法、装置及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116070461B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310186716.4，技术领域涉及：G06F30/20；该发明授权一种ALD设备仿真方法、装置及系统是由万军;兰丽丽设计研发完成，并于2023-03-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种ALD设备仿真方法、装置及系统在说明书摘要公布了：本发明公开了一种ALD设备仿真方法、装置及系统，涉及气相沉积技术领域。该ALD设备仿真方法包括：基于ALD设备建立初始仿真模型；根据设定的组合参数对初始仿真模型进行镀膜仿真，得到气体流速的流线图，其中，组合参数包括气体的输入流量；根据流线图计算初始仿真模型中镀膜区域的气体流量得到第一流量，其中，镀膜区域表征初始仿真模型中放置晶圆托盘模型的区域；计算第一流量与输入流量的比值得到流量比值；根据流量比值对初始仿真模型进行调整，直至流量比值达到预设的目标阈值时停止，得到目标仿真模型。本发明提供的ALD设备仿真方法能够优化ALD设备的结构，提升镀膜效果。

本发明授权一种ALD设备仿真方法、装置及系统在权利要求书中公布了：1.一种ALD设备仿真方法，其特征在于，包括： 基于ALD设备建立初始仿真模型，其中，所述ALD设备是原子层沉积镀膜设备； 根据设定的组合参数对所述初始仿真模型进行镀膜仿真，得到气体流速的流线图，其中，所述组合参数包括气体的输入流量； 根据所述流线图计算所述初始仿真模型中镀膜区域的气体流量得到第一流量，其中，所述镀膜区域表征所述初始仿真模型中放置晶圆托盘模型的区域； 计算所述第一流量与所述输入流量的比值得到流量比值； 根据所述流量比值对所述初始仿真模型进行调整，直至所述流量比值达到预设的目标阈值时停止，得到目标仿真模型； 所述根据所述流量比值对所述初始仿真模型进行调整，直至所述流量比值达到预设的目标阈值时停止，得到目标仿真模型的步骤包括：在所述流量比值小于初级阈值的情况下，对所述初始仿真模型进行调整，直至所述流量比值大于或等于所述初级阈值，得到一级仿真模型；在所述流量比值大于或等于初级阈值且小于所述目标阈值的情况下，对所述一级仿真模型进行调整，直至所述流量比值大于或等于所述目标阈值，得到所述目标仿真模型； 所述初始仿真模型包括反应炉模型以及容置于所述反应炉模型的所述镀膜区域内的晶圆托盘模型，所述反应炉模型设置有第一内侧壁模型，所述第一内侧壁模型的底部开设有进气口模型； 所述对所述初始仿真模型进行调整的步骤包括：调整所述初始仿真模型中所述晶圆托盘模型与所述第一内侧壁模型之间的距离； 所述对所述一级仿真模型进行调整的步骤包括：将导流件模型加入所述一级仿真模型中所述第一内侧壁模型与所述晶圆托盘模型之间，并将两个挡板模型加入所述一级仿真模型，两个所述挡板模型分别立设于所述晶圆托盘模型垂直于气体流向上的两侧，并调整所述挡板模型与所述晶圆托盘模型在垂直于气体流向上的两侧的距离。

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