华为技术有限公司高桥诚司获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉华为技术有限公司申请的专利图像传感器及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116114068B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080103869.2，技术领域涉及：H10F39/00；该发明授权图像传感器及装置是由高桥诚司设计研发完成，并于2020-09-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本图像传感器及装置在说明书摘要公布了：本发明提供了一种图像传感器。所述图像传感器包括：正面结构，包括用于提供电压给背面结构中的背面金属网格的多个正面触点；设置在所述正面结构上的半导体层，其中，多个光电二极管嵌入在所述半导体层的像素阵列区域中。所述背面结构包括：所述背面金属网格，其中，所述背面金属网格在光学屏蔽区域中具有与所述半导体层接触的背面触点；设置在所述背面金属网格和所述半导体层之间的氧化物层；填充有延伸到所述半导体层的p型阱区或n型阱区的固定电荷材料的多个背面深槽隔离deeptrenchisolation，DTI部分，其中，所述光学屏蔽区域中的至少一个DTI部分比所述背面触点更远离所述像素阵列区域的中心。
本发明授权图像传感器及装置在权利要求书中公布了：1.一种图像传感器，其特征在于，所述图像传感器包括： 正面结构，包括用于提供电压给背面结构中的背面金属网格的多个正面触点； 设置在所述正面结构上的半导体层，其中，多个光电二极管嵌入在所述半导体层的像素阵列区域中； 所述背面结构包括：所述背面金属网格，其中，所述背面金属网格在光学屏蔽区域中具有与所述半导体层接触的背面触点；设置在所述背面金属网格和所述半导体层之间的氧化物层；填充有延伸到所述半导体层的p型阱区或n型阱区的氧化物和固定电荷材料的多个背面深槽隔离部分， 至少一个背面深槽隔离部分和至少一个正面触点比面向所述光学屏蔽区域中的所述背面触点的位置更远离所述像素阵列区域的中心。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人华为技术有限公司，其通讯地址为：518129 广东省深圳市龙岗区坂田华为总部办公楼；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励