无锡吴越半导体有限公司刘俩获国家专利权
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龙图腾网获悉无锡吴越半导体有限公司申请的专利一种氮化镓晶片研磨工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116117680B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310106108.8，技术领域涉及：B24B37/04；该发明授权一种氮化镓晶片研磨工艺是由刘俩;陆燕飞;李骏杰;秦博龙设计研发完成，并于2023-02-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种氮化镓晶片研磨工艺在说明书摘要公布了：本发明公开了一种氮化镓晶片研磨工艺。该工艺是在氮化镓晶片研磨过程中，同时加入钻石研磨液和碱性研磨液，其中，碱性研磨液的磨料粒径D50小于钻石研磨液的钻石粒径D50。与现有采用钻石研磨液的研磨工艺，本发明方法晶片加工的研磨效率可由改进前的25～30μmh提高至35～40μmh，良品率由95％提高至98％以上。
本发明授权一种氮化镓晶片研磨工艺在权利要求书中公布了：1.一种氮化镓晶片研磨工艺，其特征在于：在氮化镓晶片研磨过程中，同时加入钻石研磨液和碱性研磨液，其中，碱性研磨液的磨料粒径D50小于钻石研磨液的钻石粒径D50； 所述碱性研磨液的磨料粒径D50与所述钻石研磨液的钻石粒径D50之比为0.2~0.6:1； 所述钻石研磨液的pH值为6~8，钻石粒径D50为3~10μm； 钻石研磨液的钻石粒径D50为5μm； 所述碱性研磨液为pH值为9~13的氧化铝研磨液；所述钻石研磨液的钻石含量为40~80克拉升，所述碱性研磨液的磨料含量为3~7wt%，所述钻石研磨液与所述碱性研磨液的流量之比为1:1~2。
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