中国科学院大连化学物理研究所吴凯丰获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院大连化学物理研究所申请的专利基于掺杂法测定半导体胶体纳米材料电子自旋寿命的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116136490B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111366831.7，技术领域涉及：G01N21/31；该发明授权基于掺杂法测定半导体胶体纳米材料电子自旋寿命的方法是由吴凯丰;李玉璐设计研发完成，并于2021-11-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于掺杂法测定半导体胶体纳米材料电子自旋寿命的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种基于光化学电荷掺杂法测定半导体胶体纳米材料中电子自旋寿命的方法。作为光吸收剂，半导体胶体纳米材料在紫外光照下被激发，在导带和价带上分别产生激发态电子和空穴，以强还原剂三乙基硼氢化锂LiEt3BH作为电子掺杂剂，将半导体胶体纳米材料价带的光生空穴俘获，半导体导带的电子无法回到基态从而荷载负电荷，即完成电子的光化学掺杂。在此基础上基于半导体载流子光学跃迁选择定则结合圆偏振瞬态吸收光谱TA技术进行电子自旋弛豫寿命的测量。这种基于电荷掺杂法测量半导体中电子和空穴自旋寿命是精确获取载流子自旋寿命的直接途径，为开发利用半导体材料电荷自旋属性奠定了重要基础。
本发明授权基于掺杂法测定半导体胶体纳米材料电子自旋寿命的方法在权利要求书中公布了：1.基于掺杂法测定半导体胶体纳米材料电子自旋寿命的方法，是基于光化学电荷掺杂法测定半导体胶体纳米材料电子自旋寿命的方法，其特征在于：所述的光化学电荷掺杂法是在光照条件下，基于半导体胶体纳米材料和电子掺杂剂之间发生光化学反应中电荷转移而完成的电荷掺杂；采用圆偏振瞬态吸收光谱测定电荷掺杂的半导体胶体纳米材料的电子自旋寿命； 所述的半导体胶体纳米材料的电子自旋寿命的测定，将光化学电荷掺杂成功的半导体胶体纳米材料放在瞬态吸收光谱仪的样品架上，用圆偏振激发光和圆偏振探测光进行瞬态吸收光谱的测试，测试过程中激发光和探测光的圆偏振组合相同时动力学快速衰退，而测试过程中激发光和探测光的圆偏振组合相反时动力学缓慢生成，通过将激发光与探测光同向与反向的动力学作差获得电子自旋弛豫寿命。
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