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龙图腾网获悉旺宏电子股份有限公司申请的专利一种具有多个存储器平面的存储器及其操作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116168745B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210160341.X，技术领域涉及：G11C16/04；该发明授权一种具有多个存储器平面的存储器及其操作方法是由洪硕男;郭乃萍;刘建兴设计研发完成，并于2022-02-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有多个存储器平面的存储器及其操作方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种具有多个存储器平面的存储器及其操作方法。每一存储器平面包含至少一个对应存储器阵列。方法包含针对多个存储器平面中的每一存储器平面，产生i指示对应存储器平面的忙碌或就绪状态的对应平面就绪PRDY信号及ii指示对应存储器平面的对应存储器阵列的忙碌或就绪状态的对应平面阵列就绪PARDY信号，从而产生对应于多个存储器平面的多个PRDY信号及多个PARDY信号。基于多个PRDY信号及多个PARDY信号中的一或多者的状态来选择性地允许或拒绝执行多个存储器平面中的存储器平面的存储器命令。

本发明授权一种具有多个存储器平面的存储器及其操作方法在权利要求书中公布了：1.一种具有多个存储器平面的存储器，其特征在于，包括： 多个存储器平面，每一存储器平面包含i至少一个对应存储器阵列及ii一或多个周边电路，所述周边电路专用于与所述至少一个对应存储器阵列及对应存储器平面相关联的读取及写入操作； 输入输出IO接口，用于自主机接收存储器命令及数据且将数据输出至所述主机；以及 一或多个存储单元，被组态为针对所述多个存储器平面中的每一存储器平面存储i指示所述对应存储器平面的忙碌状态或就绪状态的对应平面就绪PRDY信号及ii指示所述对应存储器平面的所述对应存储器阵列的忙碌状态或就绪状态的对应平面阵列就绪PARDY信号，从而存储对应于所述多个存储器平面的多个PRDY信号及多个PARDY信号； 其中，所述存储器被配置为执行i第一类型的操作及ii第二类型的操作，所述第一类型的操作在所述操作的至少一部分执行期间占用所述存储器的多个存储器平面，所述第二类型的操作在至少一部分执行所述操作的期间占用一个存储器平面而非所述多个存储器平面； 所述第一类型的操作在至少部分执行期间占用多个存储器平面的存储器阵列，使得多个存储器平面的多个PARDY信号同时处于忙碌状态；以及 所述第二类型的操作在至少一部分执行期间占用一个存储器平面的存储器阵列，而非多个存储器平面的全部存储器阵列，使得一个存储器平面的PARDY信号处于忙碌状态，同时一或多个其他存储器平面的PARDY信号处于忙碌状态或就绪状态。

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