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龙图腾网获悉中芯越州集成电路制造(绍兴)有限公司申请的专利垂直腔面发射激光器的制备方法及垂直腔面发射激光器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116231451B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211690864.1，技术领域涉及：H01S5/183；该发明授权垂直腔面发射激光器的制备方法及垂直腔面发射激光器是由李峰柱;王冲设计研发完成，并于2022-12-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本垂直腔面发射激光器的制备方法及垂直腔面发射激光器在说明书摘要公布了：本发明涉及一种垂直腔面发射激光器的制备方法及垂直腔面发射激光器。所述方法包括：提供依次层叠的第一导电半导体层和有源层；在有源层上外延生长第一半导体材料，并降低第一半导体材料的电导率以形成电流注入阻隔层；在电流注入阻隔层上刻蚀出具有预设尺寸的电流注入孔，电流注入孔贯穿电流注入阻隔层以暴露出有源层的上表面；在所述电流注入阻隔层上形成电流注入层，所述电流注入层填满电流注入阻隔层的所述电流注入孔；在所述电流注入层上形成第二导电半导体层。本发明所提供的垂直腔面发射激光器的制备方法及垂直腔面发射激光器，提高了VCSEL阵列器件的可靠性。

本发明授权垂直腔面发射激光器的制备方法及垂直腔面发射激光器在权利要求书中公布了：1.一种垂直腔面发射激光器的制备方法，其特征在于，所述方法包括： 提供依次层叠的第一导电半导体层和有源层； 在所述有源层上外延生长第一半导体材料，并降低所述第一半导体材料的电导率以形成电流注入阻隔层； 在所述电流注入阻隔层上刻蚀出具有预设尺寸的电流注入孔，所述电流注入孔贯穿所述电流注入阻隔层以暴露出所述有源层的上表面； 在所述电流注入阻隔层上形成电流注入层，所述电流注入层填满电流注入阻隔层的所述电流注入孔； 在所述电流注入层上形成第二导电半导体层； 所述电流注入层的形成方法包括： 在所述电流注入阻隔层上，通过3D模式外延生长第二半导体材料，所述第二半导体材料填充在所述电流注入孔内的部分形成电流注入通道；在所述电流注入孔被填满后，外延生长由3D模式转变为2D模式，以纠正刻蚀工艺造成的晶格畸变； 对所述电流注入层进行平坦化处理，以进一步纠正刻蚀工艺造成的晶格畸变； 所述在所述电流注入层上形成第二导电半导体层，包括： 在所述电流注入层外延生长第三半导体材料，形成第一缓冲层；其中，所述第二导电半导体层沿所述第一缓冲层的上表面外延生长而形成，以减少晶格畸变对第二导电半导体层的生长影响。

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