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龙图腾网获悉株式会社力森诺科申请的专利半导体装置的制造方法、临时固定用膜材料的制造方法及临时固定用膜材料获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116261778B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180067175.2，技术领域涉及：H10P72/70；该发明授权半导体装置的制造方法、临时固定用膜材料的制造方法及临时固定用膜材料是由大山恭之;宫泽笑;赤须雄太;古谷凉士设计研发完成，并于2021-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置的制造方法、临时固定用膜材料的制造方法及临时固定用膜材料在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体装置的制造方法，其包括对临时固定用层叠体照射光，由此将半导体部件从临时固定用树脂层分离。临时固定用层叠体通过包括如下工序的方法形成，即，以第1主表面与光吸收层接触的朝向，将临时固定用膜材料层叠在光吸收层上的工序；及将第2剥离膜从临时固定用膜材料剥离，使第2主表面露出的工序。临时固定用树脂层的第1主表面及第2主表面在刚体摆测定中的对数衰减率的最大值分别为δmax1及δmax2时，δmax2小于δmax1。

本发明授权半导体装置的制造方法、临时固定用膜材料的制造方法及临时固定用膜材料在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置的制造方法，其依次包括如下工序： 形成临时固定用层叠体的工序，所述临时固定用层叠体具备具有支承面及与其相反侧的背面的支承基板、光吸收层、以及具有第1主表面及与其相反侧的第2主表面的临时固定用树脂层，且在所述支承面上依次层叠有所述光吸收层及所述临时固定用树脂层； 在所述临时固定用树脂层上临时固定半导体部件的工序； 从所述背面侧对所述临时固定用层叠体照射光的工序；及 将所述半导体部件从所述临时固定用树脂层分离的工序， 所述临时固定用层叠体通过依次包括如下工序的方法而形成，即， 准备临时固定用膜材料的工序，所述临时固定用膜材料具有所述临时固定用树脂层、第1剥离膜、及第2剥离膜，以所述第1剥离膜与所述临时固定用树脂层的所述第1主表面接触，且所述第2剥离膜与所述临时固定用树脂层的所述第2主表面接触的朝向，依次层叠有所述第1剥离膜、所述临时固定用树脂层、及所述第2剥离膜； 将所述第1剥离膜从所述临时固定用膜材料剥离，以所述临时固定用树脂层的露出的所述第1主表面与所述光吸收层接触的朝向，将所述临时固定用膜材料层叠在设置于所述支承面上的所述光吸收层上的工序；及 将所述第2剥离膜从所述临时固定用膜材料剥离，使所述临时固定用树脂层的所述第2主表面露出的工序， 所述临时固定用树脂层的所述第1主表面及所述第2主表面在刚体摆测定中的对数衰减率的最大值分别为δmax1及δmax2，δmax2小于δmax1。

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