江西兆驰半导体有限公司周志兵获国家专利权
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龙图腾网获悉江西兆驰半导体有限公司申请的专利一种LED钝化层、制备方法及LED芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116314532B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310265392.3，技术领域涉及：H10H20/84；该发明授权一种LED钝化层、制备方法及LED芯片是由周志兵;张星星;林潇雄;胡加辉;金从龙设计研发完成，并于2023-03-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种LED钝化层、制备方法及LED芯片在说明书摘要公布了：本发明提供一种LED钝化层、制备方法及LED芯片，通过在LED外延片表面沉积具有曲折形状的第一钝化子层和第二钝化子层，若芯片在切割过程中造成损伤，即钝化层与芯片衔接处开裂，由于第一钝化子层和第二钝化子层为曲折结构，可以有效增加交界面路径，增加湿气沿界面入侵到芯片的距离，从而改善了芯片湿气腐蚀的问题，增加了芯片的使用寿命。
本发明授权一种LED钝化层、制备方法及LED芯片在权利要求书中公布了：1.一种LED钝化层，所述LED钝化层沉积于外延片的表面，其特征在于，所述LED钝化层至少包括第一钝化子层和沉积于所述第一钝化子层上的第二钝化子层，其中，所述第一钝化子层和所述第二钝化子层的表面均呈曲折形状； 所述第一钝化子层的表面形状和所述第二钝化子层的表面形状相同； 所述第一钝化子层为TiO2层，所述第二钝化子层为SiO2； 所述第一钝化子层的厚度为20nm~30nm； 所述第二钝化子层的厚度为75nm~100nm； 所述外延片包括衬底及依次沉积于所述衬底上的N型层、有源层、P型层、电流阻挡层、透明导电膜层以及金属电极； 所述第一钝化子层沉积于所述N型层上，所述第二钝化子层还敷设于所述有源层、所述P型层、所述透明导电膜层以及金属电极上。
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