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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种高精度自归零比较器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116318083B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310227684.8，技术领域涉及：H03K5/24；该发明授权一种高精度自归零比较器是由李兆江;唐鹤;彭淑婷设计研发完成，并于2023-03-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高精度自归零比较器在说明书摘要公布了：本发明属于半导体和集成电路技术领域，具体涉及一种高精度自归零比较器。本发明的比较器包括第一级前置放大器和第二级锁存器，其中所述第一级前置放大器包括放大器电路，完成信号的放大提高信噪比，以及自归零电路，降低比较器失调电压，降低比较器闪烁噪声；所述第二级锁存器包括两个反相器构成的锁存器，作为输出级输出数字码字。本发明提出的比较器采用自归零技术可以显著提高比较器的噪声和精度性能，而且不需要额外的放大器电路，节省自归零技术所消耗的面积和功耗。

本发明授权一种高精度自归零比较器在权利要求书中公布了：1.一种高精度自归零比较器，其特征在于，包括级联的第一级前置放大器100、桥接开关300和第二级锁存器200； 所述第一级前置放大器包括第一输入放大器110、第一自归零电路120第二自归零电路130；所述第一输入放大器110包括电流源、第一PMOS管MP1、第二PMOS管MP2、第三PMOS管MP3、第四PMOS管MP4、复位开关、第二NMOS管MN2、第三NMOS管MN3、第四NMOS管MN4、第五NMOS管MN5；第一PMOS管MP1的源极接电流源，其栅极为比较器的正输入端，其漏极接第三PMOS管MP3的源极；第二PMOS管MP2的源极接电流源，其栅极为比较器的负输入端，其漏极接第四PMOS管的MP4的源极；第三PMOS管MP3的栅极和第四PMOS管MP4的栅极接偏置电压，第三PMOS管MP3的漏极接复位开关的一端、第二NMOS管MN2的漏极和栅极、第四NMOS管MN4的栅极；第四PMOS管MP4的漏极接复位开关的另一端、第五NMOS管MN5的漏极和栅极、第三NMOS管MN3的栅极；第二NMOS管MN2的源极、第三NMOS管MN3的源极、第四NMOS管MN4的源极、第五NMOS管MN5的源极接地； 所述第一自归零电路120包括第一开关、第一采样电容和第一NMOS管MN1；第一开关的一端接第一NMOS管MN1的漏极和第三PMOS管MP3的漏极，第一开关的另一端接第一NMOS管MN1的栅极和第一采样电容的一端；第一采样电容的另一端和第一NMOS管MN1的源极接地； 所述第二自归零电路130包括第二开关、第二采样电容和第六NMOS管MN6；第二开关的一端接第六NMOS管MN6的漏极和第四PMOS管MP4的漏极，第二开关的另一端接第六NMOS管MN6的栅极和第二采样电容的一端；第二采样电容的另一端和第六NMOS管MN6的源极接地； 桥接开关300包括第三开关和第四开关；第三开关的一端接第三PMOS管MP3的漏极，第四开关的一端接第四PMOS管MP4的漏极； 所述第二级锁存器200包括第一反相器和第二反相器；第一反相器的输入端接第三开关的另一端和第二反相器的输出端，定义为第一连接点；第二反相器的输入端接第一反相器的输出端和第四开关的另一端，定义为第二连接点；第一连接点和第二连接点分别为比较器的差分输出端口； 所述第三开关和第四开关的控制信号为复位开关控制信号的反相信号； 所述第一开关和第二开关由自归零控制信号AZ控制，在自归零阶段，所述自归零控制信号AZ为高电平，使得第一开关和第二开关闭合；在复位和比较阶段，所述自归零控制信号AZ为低电平，使得第一开关和第二开关断开。

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