长鑫存储技术有限公司常苏生获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116322034B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310141718.1，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构的制造方法是由常苏生;修春雨;宛伟设计研发完成，并于2023-02-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的制造方法在说明书摘要公布了：本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构的制造方法，包括：提供衬底，衬底包括阵列区和外围区，外围区的衬底包括有源层，阵列区的衬底内具有埋入式字线和介电层，介电层位于埋入式字线上；在衬底上形成第一掩膜层，第一掩膜层覆盖外围区和阵列区；在第一掩膜层上形成阻挡层，阻挡层至少覆盖外围区；在阻挡层上形成第二掩膜层，第二掩膜层覆盖外围区和阵列区；在外围区依次刻蚀第二掩膜层、阻挡层以及第一掩膜层以形成第一通孔，并同时在阵列区刻蚀第二掩膜层、第一掩膜层以及介电层以形成第二通孔，第一通孔和第二通孔分别暴露出有源层和埋入式字线，从而同时解决不同区域分别存在的刻蚀过量和刻蚀不够的问题。
本发明授权半导体结构的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底包括阵列区和外围区，所述外围区的所述衬底包括有源层，所述阵列区的所述衬底内具有埋入式字线和介电层，所述介电层位于所述埋入式字线上； 在所述衬底上形成第一掩膜层，所述第一掩膜层覆盖所述外围区和所述阵列区； 在所述第一掩膜层上形成阻挡层，所述阻挡层至少覆盖所述外围区； 在所述阻挡层上形成第二掩膜层，所述第二掩膜层覆盖所述外围区和所述阵列区； 在所述外围区依次刻蚀所述第二掩膜层、所述阻挡层以及所述第一掩膜层以形成第一通孔，并同时在所述阵列区刻蚀所述第二掩膜层、所述第一掩膜层以及所述介电层以形成第二通孔，所述第一通孔和所述第二通孔分别暴露出所述有源层和所述埋入式字线。
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