沃孚半导体公司韩基琼获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉沃孚半导体公司申请的专利具有改进的短路能力的基于功率碳化硅的半导体装置和制造此类装置的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116325171B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180053038.3，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权具有改进的短路能力的基于功率碳化硅的半导体装置和制造此类装置的方法是由韩基琼;金柱亨;柳世衡设计研发完成，并于2021-08-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有改进的短路能力的基于功率碳化硅的半导体装置和制造此类装置的方法在说明书摘要公布了：一种功率半导体装置具有半导体层结构，该半导体层结构包括具有第一导电类型的碳化硅漂移区域、碳化硅漂移区域中的掺杂有具有第二导电类型的掺杂剂的第一阱和第二阱，以及位于第一阱和第二阱之间的JFET区域。第一阱和第二阱各自包括主阱以及位于主阱和JFET区域之间的侧阱，并且每个侧阱包括相应的沟道区域。JFET区域的掺杂浓度超过碳化硅漂移区域的掺杂浓度，并且JFET区域的上部部分的最小宽度大于JFET区域的下部部分的最小宽度。
本发明授权具有改进的短路能力的基于功率碳化硅的半导体装置和制造此类装置的方法在权利要求书中公布了：1.一种功率半导体装置，包括： 半导体层结构，包括： 碳化硅漂移区域，具有第一导电类型； 第一阱，位于碳化硅漂移区域的上部部分中，第一阱掺杂有具有与第一导电类型不同的第二导电类型的掺杂剂； 第二阱，位于碳化硅漂移区域的上部部分中，第二阱与第一阱间隔开，并且掺杂有具有第二导电类型的掺杂剂； JFET区域，所述JFET区域的第一导电类型掺杂剂的掺杂浓度超过碳化硅漂移区域中的第一导电类型掺杂剂的掺杂浓度； 所述JFET区域至少部分在第一阱和第二阱之间并且具有距所述半导体层结构的上表面定义的JFET深度；以及 其中JFET区域的上半部分的最大宽度比JFET区域的下半部分的最小宽度大至少30%，以及 其中JFET区域的下半部分的最小宽度小于JFET深度的50%。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人沃孚半导体公司，其通讯地址为：美国北卡罗莱纳；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励