江苏天芯微半导体设备有限公司叶斌获国家专利权
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龙图腾网获悉江苏天芯微半导体设备有限公司申请的专利一种晶圆的表面处理工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116344339B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310326326.2，技术领域涉及：H10P50/24；该发明授权一种晶圆的表面处理工艺是由叶斌;李哲;丁科允设计研发完成，并于2023-03-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种晶圆的表面处理工艺在说明书摘要公布了：本发明公开了一种晶圆的表面处理工艺，所述表面处理工艺包含以下步骤：S1，提供一预清洁腔，将晶圆传入预清洁腔内；S2，向所述预清洁腔内通入预清洁气体对所述晶圆进行预清洁，去除晶圆表面的氧化层；S3，将预清洁后的晶圆传入外延反应腔内，通入表面再处理气体对晶圆进行再处理，以去除晶圆表面的多晶含硅物和或起伏，其中，所述再处理的工艺温度为600～950℃。本发明通过在再处理工艺去除晶圆表面的多晶和或起伏，且再处理和外延工艺均在同一个腔室，避免了晶圆发生翘曲变形，晶圆出腔再次暴露产生氧化层，保证了表面处理的质量，且大大缩短工艺时间，减少了再处理过程中的能量损耗。
本发明授权一种晶圆的表面处理工艺在权利要求书中公布了：1.一种晶圆的表面处理工艺，其特征在于，所述表面处理工艺包含以下步骤： S1，提供一预清洁腔，将晶圆传入预清洁腔内； S2，向所述预清洁腔内通入预清洁气体对所述晶圆进行预清洁，去除晶圆表面的氧化层；所述预清洁气体至少包含含氟气体、含氮氢气体和稀有气体； S3，将预清洁后的晶圆传入外延反应腔内，通入表面再处理气体对晶圆进行再处理，以去除晶圆表面的多晶含硅物和起伏，其中，所述再处理的工艺温度为600~950℃；所述表面再处理气体由含氯气体和载气组成，再处理的时间为100~350s，载气的流量与含氯气体的流量比为150:1~400:1；外延反应腔内的压力为5Torr。
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