西安交通大学闵道敏获国家专利权
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龙图腾网获悉西安交通大学申请的专利聚合物纳米复合电介质界面区杨氏模量分析方法和装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116380657B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310350096.3，技术领域涉及：G01N3/08；该发明授权聚合物纳米复合电介质界面区杨氏模量分析方法和装置是由闵道敏;段亚楠;高梓巍;宋小凡;郝予涛;刘文凤;王诗航设计研发完成，并于2023-04-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本聚合物纳米复合电介质界面区杨氏模量分析方法和装置在说明书摘要公布了：本发明公开了聚合物纳米复合电介质界面区杨氏模量分析方法和装置，所述方法使用蒙特卡洛法构建聚合物纳米复合电介质三维结构模型，高通量仿真各界面区性质的聚合物纳米复合电介质的应力和应变场及有效杨氏模量，结合有效介质理论高通量仿真聚合物纳米复合电介质的有效杨氏模量，反演得到界面区的杨氏模量分布特性。建立起界面区介观特性于宏观力学性能间的关联，为研发高性能电气绝缘材料提供了理论和方法支持，有助于开发高击穿强度和储能密度的电介质电容器。
本发明授权聚合物纳米复合电介质界面区杨氏模量分析方法和装置在权利要求书中公布了：1.聚合物纳米复合电介质界面区杨氏模量分析方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤1，通过实验获得聚合物纳米复合电介质的杨氏模量，并建立聚合物纳米复合电介质三维结构模型，所述聚合物纳米复合电介质三维结构模型包括聚合物基体、纳米填料和界面区； 步骤2，以聚合物纳米复合电介质界面区杨氏模量分布作为输入数据集，代入纳维-柯西方程中，计算聚合物纳米复合电介质的位移、应变、应力分布，再根据聚合物纳米复合电介质的应变和应力通过有效介质理论计算得到电介质三维结构模型中界面区的有效杨氏模量； 步骤3，将步骤2得到的有效杨氏模量与步骤1中实验得到的杨氏模量进行对比以确定合适的电介质三维结构模型中的界面区特性参数，根据界面区特性参数反演计算聚合物纳米复合电介质的界面区介观杨氏模量分布特性。
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