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龙图腾网获悉国民技术股份有限公司申请的专利一种自校准比较器电路、工作方法、集成电路和电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116455366B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210010160.9，技术领域涉及：H03K5/24；该发明授权一种自校准比较器电路、工作方法、集成电路和电子设备是由张弛;赵辉设计研发完成，并于2022-01-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种自校准比较器电路、工作方法、集成电路和电子设备在说明书摘要公布了：本申请提供一种自校准比较器电路、工作方法、集成电路和电子设备，涉及集成电路技术领域。一种自校准比较器电路，包括：比较器，将输入信号差分输出为第一信号和第二信号；缓冲器，将所述第一信号和所述第二信号整形输出为第三信号和第四信号；鉴相器，检测所述第三信号和所述第四信号的相位差，并根据所述相位差输出校准信号；沿校准电路，将所述第三信号和所述第四信号转换为第五信号，并且使所述第五信号的上升沿和下降沿分别对准所述校准信号的下降沿。根据本申请实施例的比较器电路，可自动校准上升延迟和下降延迟，并使上升延迟和下降延迟保持一致。

本发明授权一种自校准比较器电路、工作方法、集成电路和电子设备在权利要求书中公布了：1.一种自校准比较器电路，其特征在于，包括： 比较器，将输入信号差分输出为第一信号和第二信号； 缓冲器，将所述第一信号和所述第二信号整形输出为第三信号和第四信号； 鉴相器，检测所述第三信号和所述第四信号的相位差，并根据所述相位差输出校准信号； 沿校准电路，将所述第三信号和所述第四信号转换为第五信号，并且使所述第五信号的上升沿或下降沿对准所述校准信号的下降沿； 所述沿校准电路包括场效应管M0、M1、M2、M3，M0、M1为NMOS管，M2、M3为PMOS管，其中，M0的源极接地，M0的栅极与所述第三信号正相连接，M0的漏极与M1连接；M1的源极与M0的漏极连接，M1的栅极与所述校准信号反相连接，M1的漏极与M2和所述第五信号输出端连接；M2的源极与M1的漏极和所述第五信号输出端连接，M2的栅极与所述校准信号正相连接，M2的漏极与M3连接；M3的源极与M2的漏极连接，M3的栅极与所述第四信号反相连接，M3的漏极接地；M1接所述校准信号的反相输出，M2接所述校准信号的同相输出，M0接所述第三信号的同相输出，M3接所述第四信号的反相输出； 其中，所述校准信号的脉冲宽度为所述第一信号的上升延迟和所述第二信号的下降延迟的时间差。

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