图核有限公司S·J·斯塔西获国家专利权
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龙图腾网获悉图核有限公司申请的专利用于安装半导体管芯的衬底翘曲控制获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116548073B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080107540.3，技术领域涉及：H10W70/652；该发明授权用于安装半导体管芯的衬底翘曲控制是由S·J·斯塔西;Y·C·王设计研发完成，并于2020-12-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于安装半导体管芯的衬底翘曲控制在说明书摘要公布了：一种衬底和制造衬底的方法。衬底适于将至少一个半导体管芯安装到印刷电路板上。衬底包括两个相对的堆叠，每个堆叠包括交替的铜层和电绝缘膜层。膜和铜具有不同的热膨胀系数，允许通过在相对的堆叠之间提供不同膜厚度的衬底来控制衬底的翘曲行为。
本发明授权用于安装半导体管芯的衬底翘曲控制在权利要求书中公布了：1.一种衬底，用于将至少一个半导体管芯安装到印刷电路板上，所述衬底包括： 第一堆叠，在所述衬底适于朝向所述半导体管芯布置的第一侧上，所述第一堆叠包括与堆积膜层交织的多个铜层；以及 第二堆叠，在所述衬底适于朝向所述印刷电路板布置的第二侧上，所述第二堆叠包括与所述堆积膜层交织的多个铜层， 其中所述堆积膜具有比铜更高的热膨胀系数， 其中所述第二堆叠的堆积膜的一层或多层的每个具有与所述第一堆叠的堆积膜的相应一层不同的厚度； 其中所述第二堆叠的堆积膜的一层或多层的每层具有大于第一堆叠的堆积膜的相应一层的厚度，使得响应于热，所述衬底被配置成引起衬底负翘曲，其中衬底在至少一个半导体管芯的边缘处远离至少一个半导体管芯弯曲；或者 其中所述第二堆叠的堆积膜的一层或多层的每层具有小于第一堆叠的堆积膜的相应一层的厚度，使得响应于热，所述衬底被配置成引起衬底正翘曲，其中衬底在至少一个半导体管芯的边缘处朝向至少一个半导体管芯弯曲。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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