圣邦微电子(北京)股份有限公司阳云霄获国家专利权
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龙图腾网获悉圣邦微电子(北京)股份有限公司申请的专利带隙基准电路及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116578149B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310308919.6，技术领域涉及：G05F1/56；该发明授权带隙基准电路及电子设备是由阳云霄设计研发完成，并于2023-03-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本带隙基准电路及电子设备在说明书摘要公布了：本申请公开了一种带隙基准电路及电子设备。包括基准电压生成模块、运算放大器和电流偏置模块，其中运算放大器与基准电压生成模块连接，运算放大器通过钳位其反相输入端和非反相输入端的电压来使得基准电压生成模块产生带隙基准电压，电流偏置模块用于根据第一偏置电压和一休眠模式信号产生运算放大器工作所需的偏置电流，从而使得带隙基准电路从休眠模式快速切换到工作模式，缩短带隙基准电路的启动时间。
本发明授权带隙基准电路及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种带隙基准电路，包括： 基准电压生成模块，具有用于产生带隙基准电压的输出节点； 运算放大器，与所述基准电压生成模块中的第一节点和第二节点连接，所述运算放大器用于对所述第一节点和所述第二节点处的电压进行钳位；以及 电流偏置模块，用于根据第一偏置电压和一休眠模式信号产生所述运算放大器工作所需的偏置电流，以使得所述带隙基准电路从休眠模式快速切换到工作模式， 其中，所述电流偏置模块包括： 串联连接于所述偏置电流的输出端和地之间的第十二晶体管、第六电阻器以及第十三晶体管，所述第十二晶体管的控制端用于接收所述第一偏置电压，所述第十三晶体管的控制端用于接收所述休眠模式信号，所述休眠模式信号用于控制所述带隙基准电路处于工作模式或者休眠模式；以及 连接于所述第十二晶体管的控制端和地之间的第一电容器， 其中，当所述休眠模式信号无效时，所述第十三晶体管导通，所述电流偏置模块根据所述第一偏置电压快速建立偏置电流，从而使得所述运算放大器可以快速开启，使得所述带隙基准电路可以快速从所述休眠模式快速切换到所述工作模式。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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