江苏天芯微半导体设备有限公司崔强获国家专利权
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龙图腾网获悉江苏天芯微半导体设备有限公司申请的专利一种等离子体发生装置、晶圆处理设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116614930B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310652162.2，技术领域涉及：H05H1/46；该发明授权一种等离子体发生装置、晶圆处理设备是由崔强设计研发完成，并于2023-06-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种等离子体发生装置、晶圆处理设备在说明书摘要公布了：本发明涉及一种等离子体发生装置，包括：通道，所述通道包含上游区和下游区，通道的两端分别设置有进气口和排气口，所述进气口用于通入工艺气体，所述排气口用于将工艺气体排出，所述上游区靠近所述进气口，所述下游区靠近所述排气口；磁芯，用于将通入所述通道内的所述工艺气体形成等离子体，其中至少一磁芯环绕上游区设置，以及至少一磁芯环绕下游区设置；所述磁芯在上游区产生的磁通小于在下游区产生的磁通，在磁通影响下，使得上游区和下游区的等离子体分布均匀。本发明提出的等离子体发生装置产生的等离子体浓度均匀且稳定。
本发明授权一种等离子体发生装置、晶圆处理设备在权利要求书中公布了：1.一种等离子体发生装置，其特征在于，包括： 通道，所述通道包含上游区和下游区，通道的两端分别设置有进气口和排气口，所述进气口用于通入工艺气体，所述排气口用于将工艺气体排出，所述上游区靠近所述进气口，所述下游区靠近所述排气口； 磁芯，用于将通入所述通道内的所述工艺气体形成等离子体，其中至少一磁芯环绕上游区设置，以及至少一磁芯环绕下游区设置； 所述磁芯在上游区产生的磁通小于在下游区产生的磁通，在磁通影响下，使得上游区和下游区的等离子体分布均匀； 其中，所述通道还包含上连接部和下连接部，所述进气口设置在上连接部的顶部，所述排气口设置在下连接部的底部； 所述上连接部和下连接部均为“Y”形，所述上连接部的“Y”形的夹角大于所述下连接部的“Y”形的夹角。
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