江南大学段文哲获国家专利权
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龙图腾网获悉江南大学申请的专利一种压力传感器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116735041B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310459845.6，技术领域涉及：G01L1/18；该发明授权一种压力传感器及其制备方法是由段文哲;李杨;王霄;陈治伟;敖金平设计研发完成，并于2023-04-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种压力传感器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种压力传感器及其制备方法，属于半导体技术与制造领域。本发明的压力传感器，由下往上依次包括：硅衬底、缓冲层、GaN层和AlGaN层，AlGaN层上有栅极、源极和漏极；硅衬底包括：基底，基底上从左往右依次设置第一支撑体、第二支撑体和第三支撑体；第二支撑体和第三支撑体的上表面与缓冲层下表面贴合，第二支撑体和第三支撑体之间形成空腔；第一支撑体的高度小于第二支撑体，与缓冲层之间有间隙。本发明通过受压时漏极内部电流传感通道的电阻发生增加，从而导致电流下降，进而实现压力传感，仿真结果证明，本发明的压力传感器不仅具备较高的灵敏度，且同时获得了更大的量程。
本发明授权一种压力传感器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种压力传感器，其特征在于，所述压力传感器由下往上依次包括：硅衬底、缓冲层、GaN层和AlGaN层，所述AlGaN层上有栅极、源极和漏极； 所述硅衬底包括：基底，所述基底上从左往右依次设置第一支撑体、第二支撑体和第三支撑体；所述第二支撑体和第三支撑体的上表面与所述缓冲层下表面贴合，所述第二支撑体和第三支撑体之间形成空腔；所述第一支撑体的高度小于所述第二支撑体，与所述缓冲层之间有间隙。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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