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龙图腾网获悉深圳市芯视佳半导体科技有限公司申请的专利一种Micro-OLED有效抑制像素定义层漏电流的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116867312B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310792477.7，技术领域涉及：H10K59/122；该发明授权一种Micro-OLED有效抑制像素定义层漏电流的方法是由请求不公布姓名;请求不公布姓名;请求不公布姓名;请求不公布姓名;请求不公布姓名;请求不公布姓名;请求不公布姓名设计研发完成，并于2023-06-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种Micro-OLED有效抑制像素定义层漏电流的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种Micro‑OLED有效抑制像素定义层漏电流的方法，利用原子层沉积技术制备致密AlOx，HfO2或AlOxHfO2叠层膜，作为像素定义层；其过程如下：在带有CMOS基板上制备出Micro‑OLED的anode结构；利用原子层沉积技术制备高介电常数的像素定义层；利用涂胶曝光显影及ETCH工艺对ALD方法制备的AlOx，HfO2像素定义层进行刻蚀，进而形成像素定义层标准结构。采用上述技术方案，通过ALD方法制备的具备高介电常数的AlOx，HfO2像素定义层，有效抑制像素间的漏电流现象，解决或缓解像素边缘发光问题，从而精准控制像素点亮开启，进而实现显示屏幕精细控制。

本发明授权一种Micro-OLED有效抑制像素定义层漏电流的方法在权利要求书中公布了：1.一种Micro-OLED有效抑制像素定义层漏电流的方法，所述的Micro-OLED包括像素定义层； 其特征在于： 所述的方法利用原子层沉积技术制备致密AlOx，HfO2或AlOxHfO2叠层膜，作为像素定义层；所述的方法过程如下： 步骤1、在带有CMOS基板上制备出Micro-OLED的anode结构； 步骤2、利用原子层沉积技术制备高介电常数的像素定义层；片源进入ALD腔体，通入N2，100～2000sccm；接着，通入前驱体-1，三甲基铝或四二乙基氨基铪，0.1～2s，清洗，5～100s；然后，通入前驱体-2，水，0.1～2s，清洗，5～200s；最后，循环生长500～100000cycle，生长10～2000nm； 步骤3、利用涂胶曝光显影及ETCH工艺对ALD方法制备的AlOx，HfO2像素定义层进行刻蚀，进而形成像素定义层标准结构。

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