华南师范大学;深圳市国华光电科技有限公司劳伦斯·德·哈恩获国家专利权
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龙图腾网获悉华南师范大学;深圳市国华光电科技有限公司申请的专利一种基于力响应胆甾相主链液晶低聚物的压敏膜及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117215100B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311134179.5，技术领域涉及：G02F1/13；该发明授权一种基于力响应胆甾相主链液晶低聚物的压敏膜及其制备方法和应用是由劳伦斯·德·哈恩;王凤慧;周国富设计研发完成，并于2023-09-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于力响应胆甾相主链液晶低聚物的压敏膜及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于力响应胆甾相主链液晶低聚物的压敏膜，所述基于力响应胆甾相主链液晶低聚物的压敏膜的结构从上到下依次为PDMS层、胆甾相液晶低聚物层、基板层；所述胆甾相液晶低聚物层，是由二丙烯酸酯液晶单体、二硫醇反应所得；所述胆甾相液晶低聚物层的聚合度为2‑10。通过本发明公开的基于力响应胆甾相主链液晶低聚物的压敏膜利用二丙烯酸酯液晶单体聚合得到聚合度为2‑10的低聚物作为胆甾相液晶低聚物层，可视化程度更高，力响应的阈值可控，同时压敏膜中没有液体部件，使得压敏膜更容易组装，更稳定。
本发明授权一种基于力响应胆甾相主链液晶低聚物的压敏膜及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种基于力响应胆甾相主链液晶低聚物的压敏膜，其特征在于，所述基于力响应胆甾相主链液晶低聚物的压敏膜的结构从上到下依次为PDMS层、胆甾相液晶低聚物层、基板层； 其中 所述胆甾相液晶低聚物层，是由二丙烯酸酯液晶单体、二硫醇反应所得； 所述胆甾相液晶低聚物层的聚合度为2-10； 所述基于力响应胆甾相主链液晶低聚物的压敏膜的制备方法，包括如下步骤： S1、将所述二丙烯酸酯液晶单体、二硫醇、二丙胺溶解在溶剂中，并在50-60℃下搅拌反应5-6h，得到中间产物； S2、将所述中间产物、二丙胺和正丁硫醇，在55-65℃下反应进行封端，控制所述中间产物的聚合度，得到所述胆甾相液晶低聚物； S3、将所述胆甾相液晶低聚物与表面活性剂和溶剂共混，并涂覆在所述基板层上成膜，得到所述胆甾相液晶低聚物层； S4、在所述胆甾相液晶低聚物层上涂覆一层PDMS并成膜，得到所述PDMS层。
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