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龙图腾网获悉无锡市华辰芯光半导体科技有限公司申请的专利一种金属化学气相沉积装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117403211B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311393765.1，技术领域涉及：C23C16/458；该发明授权一种金属化学气相沉积装置是由余小明设计研发完成，并于2023-10-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种金属化学气相沉积装置在说明书摘要公布了：本发明公开了一种金属化学气相沉积装置，金属化学气相沉积装置包括若干个MOVCD反应模组，若干个MOVCD反应模组呈线性阵列设置；反应壳体设置在基座的顶端，反应壳体与基座围合成一反应腔，反应壳体的相对两侧分别设置有进气口和出气口，以用于供待反应气体进入和排出反应腔；基座内开设有容置腔，容置腔与反应腔之间通过一通孔相连通，晶圆载台用于承载晶圆；旋转结构与晶圆载台相连，适于在对晶圆进行加热时驱动晶圆载台带动晶圆旋转。此结构中的MOVCD反应模组为金属化学气相沉积反应模组，在保证完成工作需求的同时，使用合理的MOVCD反应模组数量，造成设备的浪费情况，兼顾晶圆的均匀性和产能。

本发明授权一种金属化学气相沉积装置在权利要求书中公布了：1.一种金属化学气相沉积装置，其特征在于， 所述金属化学气相沉积装置包括若干个MOVCD反应模组，若干个所述MOVCD反应模组呈线性阵列设置； 所述MOVCD反应模组包括： 基座1； 反应壳体2，所述反应壳体2设置在所述基座1的顶端，所述反应壳体2与所述基座1围合成一反应腔，所述反应壳体2的相对两侧分别设置有进气口和出气口，以用于供待反应气体进入和排出所述反应腔； 晶圆载台3，所述基座1内开设有容置腔，所述容置腔与所述反应腔之间通过一通孔相连通，所述晶圆载台3设置在所述容置腔靠近所述反应腔的一侧，所述晶圆载台3用于承载晶圆； 其中，所述MOVCD反应模组还包括旋转结构4，所述旋转结构4与所述晶圆载台3相连，适于在对晶圆进行加热时驱动所述晶圆载台3带动所述晶圆旋转，以实现所述晶圆的均匀受热； 所述金属化学气相沉积装置还包括气体输送结构5，所述气体输送结构5包括： 进气组件51，所述进气组件51上开设有若干个进气通道512，所述进气通道512靠近所述基座1的一端与所述进气口对应且连通设置，另一端适于与进气装置相连通，以使待反应气体自所述进气装置流经进气通道512和所述进气口进入到所述反应腔内； 出气组件52，所述出气组件52上开设有若干个出气通道522，所述出气通道522的一端与所述出气口对应设置，所述出气通道522的另一端适于与外界连通以排出所述反应腔内部的气体。

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