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龙图腾网获悉北京大学申请的专利单壁碳纳米管水平阵列及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117623282B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210979953.1，技术领域涉及：C01B32/159；该发明授权单壁碳纳米管水平阵列及其制备方法是由张锦;谢颖;李越;钱柳;赵子强设计研发完成，并于2022-08-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本单壁碳纳米管水平阵列及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种单壁碳纳米管水平阵列及其制备方法。其制备方法，包括：S1，对单晶蓝宝石基底表面进行重构；S2，通过离子注入将催化剂前体注入经过重构的单晶蓝宝石基底；及S3，将经过离子注入后的基底放置于竖直喷淋化学气相沉积设备中，使其垂直于竖直喷淋的气流进行气相沉积生长单壁碳纳米管。本发明的单壁碳纳米管水平阵列的生长面积可达一英寸，密度最高可达140根微米，且表现出超高质量。该制备方法结合了激光划刻技术、离子注入技术以及竖直喷淋设备，实现了蓝宝石单晶基底的表面重构、其上催化剂分布以及气流与基底作用模式的同步优化，从而显著提升了单壁碳纳米管水平阵列的生长尺寸、密度和均匀性，且该方法具有可控、稳定、易放大等特点。

本发明授权单壁碳纳米管水平阵列及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种碳纳米管水平阵列的制备方法，其特征在于，包括： S1，对单晶蓝宝石基底表面进行重构； S2，通过离子注入将催化剂前体注入经过重构的单晶蓝宝石基底；及 S3，将经过离子注入后的基底放置于竖直喷淋化学气相沉积设备中，使其垂直于竖直喷淋的气流进行气相沉积生长单壁碳纳米管； 其中，在所述S1步骤中，通过激光划刻对单晶蓝宝石基底进行重构，所述激光划刻为紫外激光设定频率100KHz，Q脉冲宽度0.1s，速度20mms，循环次数大于等于100次；所述激光划刻为利用激光在所述基底划刻网格，所述网格中相邻两条平行划痕的距离在1~2mm之间；在激光划刻处理后对基底进行退火，所述退火为将基底3h升温至1100℃并保温8h，之后在控温下经过10h降至300℃，随后自然冷却至室温； 在所述S2步骤中，所述催化剂前体为铁离子，所述离子注入的能量为5~20keV，剂量为1×1013~1×1014ionscm2；之后进行退火，所述退火为将基底3h升温至1100℃并保温8h，之后在控温下经过10h降至300℃，随后自然冷却至室温。

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