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龙图腾网获悉华东师范大学申请的专利一种钝化的硒化锑薄膜太阳能电池获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117637868B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311668812.9，技术领域涉及：H10F77/30；该发明授权一种钝化的硒化锑薄膜太阳能电池是由黎耀桢;陶加华;洪进;田博博;陈少强;褚君浩设计研发完成，并于2023-12-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种钝化的硒化锑薄膜太阳能电池在说明书摘要公布了：本发明公开了一种钝化的硒化锑Sb2Se3薄膜太阳电池及制备方法，该电池自下而上依次包括：氧化铟锡ITO透明导电玻璃前电极基底、硫化镉CdS电子传输层、Sb2Se3吸收层、聚偏氟乙烯‑三氟乙烯共聚物PVDF‑TrFE钝化层和金Au背电极层。所述的钝化的硒化锑Sb2Se3薄膜是在Sb2Se3吸收层表面旋涂PVDF‑TrFE薄膜，钝化薄膜表面深能级缺陷。本发明的优点在于通过PVDF‑TrFE薄膜策略成功解决了Sb2Se3半导体薄膜表面深能级缺陷导致Sb2Se3太阳能电池开路电压偏低的科学问题，从而提高了Sb2Se3薄膜太阳电池的性能。这一创新技术为制备高效且低成本的Sb2Se3薄膜太阳能电池提供了一种重要的技术解决方案。

本发明授权一种钝化的硒化锑薄膜太阳能电池在权利要求书中公布了：1.一种钝化的硒化锑薄膜太阳能电池，其特征在于，所述电池由下至上依次为：氧化铟锡透明导电玻璃前电极基底、电子传输层、吸收层、钝化层和背电极层； 所述的电子传输层为硫化镉薄膜，厚度在20～150nm； 所述的吸收层为硒化锑薄膜，厚度在200～2000nm； 所述的钝化层采用聚偏氟乙烯-三氟乙烯共聚物薄膜，厚度在10～150nm； 所述的背电极层为金电极薄膜，厚度在50～150nm； 所述钝化的硒化锑薄膜太阳能电池的制备，包括以下步骤： 1氧化铟锡透明导电玻璃前电极基底清洗：先用含有清洁剂的溶液清洗，接着用丙酮和乙醇进行连续超声洗涤，最终用去离子水漂洗并以高纯度氮气吹扫至干燥备用； 2电子传输层硫化镉薄膜的制备，采用化学水浴法在步骤1的基底上沉积硫化镉薄膜，使用20mgml的CdCl2乙醇溶液对硫化镉薄膜进行旋涂处理，旋涂转速为2000rs，时间为30s；随后在350～450℃的温度下退火5min，形成电子传输层，其厚度控制在20～150nm； 3吸收层硒化锑薄膜的制备，采用气相输运法在硫化镉薄膜上沉积硒化锑薄膜；过程中，升温速率控制在20～100℃min，将温度升至450～550℃，在2.5～3.5Pa的气压下保温2～5min，然后自然冷却至室温；所得的硒化锑薄膜作为吸收层，厚度为200～2000nm； 4钝化层聚偏氟乙烯-三氟乙烯共聚物薄膜的制备，首先配制2～10wt%的共聚物溶液，使用碳酸二乙酯作为溶剂；将溶液旋涂于硒化锑薄膜表面，旋涂时先以300～至1000rs的转速保持5～10s，随后以2000～4000rs的转速保持10～25s；干燥处理中，先置于90～120℃的环境中10～60min，以促进溶剂挥发，随后在135～165℃环境中保持2～8小时，以提高薄膜的结晶度，形成厚度为10～150nm的聚偏氟乙烯-三氟乙烯共聚物薄膜即钝化层； 5背电极层金电极薄膜的制备，在真空度条件下，通过热蒸发法在聚偏氟乙烯-三氟乙烯共聚物薄膜上沉积金电极层，厚度控制在50～150nm，完成所述钝化的硒化锑薄膜太阳能电池的制备。

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