华为技术有限公司景蔚亮获国家专利权
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龙图腾网获悉华为技术有限公司申请的专利存储芯片及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117750776B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211110973.1，技术领域涉及：H10B53/30；该发明授权存储芯片及电子设备是由景蔚亮;王正波;王易成;章文强;殷士辉;廖恒设计研发完成，并于2022-09-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储芯片及电子设备在说明书摘要公布了：本申请公开一种存储芯片及电子设备，涉及半导体技术领域。存储芯片包括缓存器，缓存器包括：第一堆叠结构、第一导电柱、第一铁电层、读晶体管和写晶体管。第一堆叠结构包括至少一层第一板线层和位于第一板线层相对两侧的第一介质层。在第一板线层的数量为多层的情况下，该多层第一板线层相连接。第一导电柱贯穿第一堆叠结构。第一铁电层位于第一板线层和第一导电柱之间，且环绕第一导电柱。读晶体管的栅极与第一导电柱相连接。写晶体管的源极和漏极中的一者与第一导电柱相连接。上述缓存器采用铁电存储器形成，其铁电缓存单元呈2T1C结构。缓存器结构简单，占据的面积较小，有利于减小存储芯片中缓存器的面积占比，提高存储芯片的面积效率。
本发明授权存储芯片及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种存储芯片，其特征在于，所述存储芯片包括缓存器，所述缓存器包括： 第一堆叠结构，包括至少一层第一板线层和位于所述第一板线层相对两侧的第一介质层；在所述第一板线层的数量为多层的情况下，多层所述第一板线层相连接； 第一导电柱，贯穿所述第一堆叠结构； 第一铁电层，位于所述第一板线层和所述第一导电柱之间，且环绕所述第一导电柱； 读晶体管，位于所述第一堆叠结构下方；所述读晶体管的栅极与所述第一导电柱相连接； 写晶体管，位于所述第一堆叠结构的下方或上方；所述写晶体管的源极和漏极中的一者与所述第一导电柱相连接； 其中，所述存储芯片还包括：铁电内存储器； 所述存储芯片具有存储区和位于所述存储区的至少一侧的冗余区，所述铁电内存储器位于所述存储区，所述缓存器位于所述冗余区。
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