华为技术有限公司景蔚亮获国家专利权
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龙图腾网获悉华为技术有限公司申请的专利存储阵列及其制作方法、存储器、电子设备及读写方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117794247B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211153886.4，技术领域涉及：H10B41/35；该发明授权存储阵列及其制作方法、存储器、电子设备及读写方法是由景蔚亮;孙莹;黄凯亮;王正波;廖恒设计研发完成，并于2022-09-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储阵列及其制作方法、存储器、电子设备及读写方法在说明书摘要公布了：本申请实施例属于存储设备技术领域，具体涉及一种存储阵列及其制作方法、存储器、电子设备及读写方法。本申请实施例旨在解决存储阵列数据读取较慢的问题。本实施例提供的存储阵列、存储阵列制作方法及读写方法，器件层包括层叠设置的第一电极层、第一隔离层以及电极板，各第一电极层之间电连接。在数据读取时，可以向第一电极层和栅极柱供电，即可使栅极柱与各器件层形成的各存储晶体管均处于可读取数据的状态，此时通过电极板即可读取该电极板对应的存储晶体管内的数据，无需使栅极柱与各器件层形成的各存储晶体管均处于开启状态，提高了数据的读取速度。
本发明授权存储阵列及其制作方法、存储器、电子设备及读写方法在权利要求书中公布了：1.一种存储阵列，其特征在于，包括： 基底； 堆叠结构，所述堆叠结构设置在所述基底上，所述堆叠结构包括层叠设置的多个器件层；每一所述器件层包括层叠设置的第一电极层、第一隔离层以及第二电极层，所述第一隔离层位于所述第一电极层和所述第二电极层之间，各所述第一电极层电连接； 栅极柱，所述堆叠结构上设置有贯通孔，所述贯通孔贯穿所述堆叠结构，所述栅极柱穿设在所述贯通孔内；每一所述器件层中的所述第一电极层作为一个存储晶体管的第一电极，该所述器件层中的所述第二电极层作为对应存储晶体管的第二电极，所述栅极柱作为对应存储晶体管的栅极； 所述堆叠结构还包括贯穿各所述器件层的连接孔，所述连接孔内填充有导电体，所述导电体与各所述第一电极层接触。
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