中国科学院金属研究所任文才获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院金属研究所申请的专利一种高质量石墨烯导热导电膜的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117923478B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211321035.6，技术领域涉及：C01B32/194；该发明授权一种高质量石墨烯导热导电膜的制备方法是由任文才;张晴;韦覃伟;成会明设计研发完成，并于2022-10-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高质量石墨烯导热导电膜的制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于功能膜领域，具体涉及一种高质量石墨烯导热导电膜的制备方法。该制备方法以杂原子共价晶格掺杂的弱氧化石墨烯或石墨烯作为原料，经液相组装得到层状薄膜，再经高温石墨化热处理制得高质量石墨烯导热导电膜。本发明利用高温下共价掺杂原子从石墨烯晶格内分解产生的空位和缺陷促进碳原子的层间迁移，有效促进石墨化过程中石墨晶体的三维重排和结晶，从而大幅提升了石墨化效率、石墨烯膜的晶粒尺寸、有序性和结晶质量以及导热导电性能。本发明具有制备工艺简单、效率高、易于规模放大、且所得石墨烯膜质量和性能高的特点，为石墨烯在热管理、电磁屏蔽、储能、核技术等领域的应用奠定了基础，并有望用于石墨烯纤维等碳材料的高效石墨化。
本发明授权一种高质量石墨烯导热导电膜的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高质量石墨烯导热导电膜的制备方法，其特征在于，以杂原子共价晶格掺杂的弱氧化石墨烯或石墨烯作为原料，经液相组装得到层状薄膜，利用高温下共价掺杂原子从石墨烯晶格内分解产生的缺陷和空位促进碳原子在石墨烯层间的迁移，有效促进后续高温石墨化过程中石墨晶体的三维重排和结晶，从而大幅提升石墨烯膜的晶粒尺寸、结晶质量和有序性，制备得到高导热导电的石墨烯膜； 杂原子共价晶格掺杂的掺杂元素有效阻止石墨烯在2000℃以下升温过程中的缺陷愈合，掺杂元素是氮、硼、硫其中的一种或两种混合，掺杂元素碳原子比在0.01~0.5之间。
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