比亚迪股份有限公司;比亚迪汽车工业有限公司谢春林获国家专利权
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龙图腾网获悉比亚迪股份有限公司;比亚迪汽车工业有限公司申请的专利碳化硅外延片及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118073397B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211422470.8，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权碳化硅外延片及其制备方法和应用是由谢春林;区灿林;周维设计研发完成，并于2022-11-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本碳化硅外延片及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体材料领域，公开了一种碳化硅外延片及其制备方法和应用。本发明提供碳化硅外延片具有上下两层掺杂碳化硅外延层的结构，且至少部分的下层掺杂碳化硅外延层的表面缺陷被本征碳化硅填平。使用本发明的碳化硅外延片的器件漏电流小、开启电压低且不易被击穿。
本发明授权碳化硅外延片及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅外延片，其特征在于，该外延片包括碳化硅衬底、形成在所述碳化硅衬底上的第一掺杂碳化硅外延层、形成在所述第一掺杂碳化硅外延层上的第二掺杂碳化硅外延层，其中，至少部分的所述第一掺杂碳化硅外延层的表面凹坑被本征碳化硅填平，所述凹坑为在氢气氛围下对所述第一掺杂碳化硅外延层表面进行原位刻蚀而在表面缺陷处形成的凹坑， 所述碳化硅外延片还包括形成在所述碳化硅衬底和所述第一掺杂碳化硅外延层之间的掺杂碳化硅缓冲层， 所述碳化硅外延片还包括形成在所述掺杂碳化硅缓冲层和所述第一掺杂碳化硅外延层之间的第三掺杂碳化硅外延层以及形成所述第三掺杂碳化硅外延层上的石墨烯层。
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