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龙图腾网获悉东南大学申请的专利一种可增强瞬态响应和纹波抑制比的低压差线性稳压器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118151708B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410283724.5，技术领域涉及：G05F1/56；该发明授权一种可增强瞬态响应和纹波抑制比的低压差线性稳压器是由方中元;刘佳豪;范王琛;樊浩男;李忠良;孙伟锋;时龙兴设计研发完成，并于2024-03-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种可增强瞬态响应和纹波抑制比的低压差线性稳压器在说明书摘要公布了：本发明涉及一种可增强瞬态响应和纹波抑制比的低压差线性稳压器，基于误差放大电路、求和级电路、超级源随器电路、以及电流反馈环路电路，通过设计方案进行电路搭建，并实现电压反馈主环路、反馈增强环路和电流反馈环路这三条信号反馈环路，能够在应用中，具有快速瞬态响应和高的纹波抑制比，能够根据负载电流的大小、自适应地调节给予缓冲器级的电流大小，避免了功耗的浪费，降低了成本和设计复杂性，并且在显著提高瞬态响应的基础上降低了功耗的大小，实现快速的瞬态响应和纹波抑制比。

本发明授权一种可增强瞬态响应和纹波抑制比的低压差线性稳压器在权利要求书中公布了：1.一种可增强瞬态响应和纹波抑制比的低压差线性稳压器，用于针对待稳压信号实现线性稳压处理，其特征在于：包括NMOS管Mp、以及误差放大电路、超级源随器电路、求和级电路、电流反馈环路电路，其中，误差放大电路与超级源随器电路的电源端、接地端、偏置信号端分别连接电源VBAT、接地GND、偏置信号Idc；NMOS管Mp的漏极构成低压差线性稳压器的输入端，用于接收待稳压信号；NMOS管Mp的源极构成低压差线性稳压器的输出端，且NMOS管Mp的源极与误差放大电路的反馈端相对接； 求和级电路的电源端、接地端分别连接电源VBAT、接地GND，误差放大电路的输出端对接求和级电路的输入端，求和级电路的输出端对接超级源随器电路的输入端，NMOS管Mp的源极与求和级电路的反馈端相对接； 电流反馈环路电路包括PMOS管MP10、PMOS管MP11、NMOS管MN10、NMOS管MN11、NMOS管MN12、NMOS管MN13、NMOS管MN14，其中，PMOS管MP10的源极、PMOS管MP11的源极、NMOS管MN14的漏极构成电流反馈环路电路的电源端，PMOS管MP10的栅极、PMOS管MP11的栅极、PMOS管MP11的漏极、NMOS管MN11的漏极四者相连接；PMOS管MP10的漏极、NMOS管MN10的漏极、NMOS管MN14的栅极三者相连接，NMOS管MN10的栅极、NMOS管MN11的栅极、NMOS管MN14的源极、NMOS管MN12的漏极、NMOS管MN12的栅极、NMOS管MN13的栅极六者相连接；NMOS管MN13的漏极构成电流反馈环路电路的反馈端；NMOS管MN10的源极、NMOS管MN11的源极、NMOS管MN12的源极、NMOS管MN13的源极均构成电流反馈环路电路的接地端； 电流反馈环路电路的电源端、接地端分别连接电源VBAT、接地GND，超级源随器电路的输出端、NMOS管MN14的栅极、NMOS管Mp的栅极三者相连接，NMOS管Mp的源极与电流反馈环路电路的反馈端相对接。

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