重庆大学沈骏获国家专利权
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龙图腾网获悉重庆大学申请的专利一种硅转接板背面铝布线工艺与对准方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118280847B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410413814.1，技术领域涉及：H10W20/00；该发明授权一种硅转接板背面铝布线工艺与对准方法是由沈骏;吴罚设计研发完成，并于2024-04-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种硅转接板背面铝布线工艺与对准方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种硅转接板背面铝布线工艺与对准方法，属于微电子封装技术领域。在传统的背面铝布线工艺中，需要经过两次光刻与刻蚀，流程比较复杂；本发明通过对TSV进行过抛光，使铝金属层沉积在沉积时得到TSV铜标记，在后续进行铝布线光刻使能够直接与TSV进行光刻对准，通过一次光刻、刻蚀便可完成铝布线层的制备，整个制备方法与现有的工艺流程兼容，且步骤简单，能够减少制备时间与制备成本。
本发明授权一种硅转接板背面铝布线工艺与对准方法在权利要求书中公布了：1.一种硅转接板背面铝布线工艺与对准方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤1：TSV转接板背面硅衬底减薄；TSV转接板背面硅衬底经过粗磨，精磨和化学机械研磨三次研磨减薄，比TSV的深度多10～20μm； 步骤2：硅通孔露出；使用干法或者湿法刻蚀的方式去除TSV顶部的TSV转接板背面硅衬底，将TSV露出2～10μm； 步骤3：生长SiNSiO2介质层；在硅衬底背面生长一层SiNSiO2介质层； 步骤4：化学机械研磨+过抛光；采用化学机械研磨的方式研磨SiNSiO2介质层，使TSV的头部铜露出，此时TSV中铜与SiNSiO2介质层的高度差不超过50nm～100nm；然后将铜过抛光5～20秒，使得TSV的铜相对于SiNSiO2介质层表面凹陷100～500nm； 步骤5：铝金属沉积；采用PVD或蒸发的方式在SiNSiO2介质层表面进行金属铝沉积，铝厚度为1～5μm，形成背面铝布线层； 步骤6：铝布线光刻及刻蚀；在背面铝布线层上进行光刻涂胶显影与刻蚀，实现铝布线的图形化；在进行光刻涂胶时，根据TSV铜的光刻标记，实现背面铝布线层和TSV铜之间的光刻对准。
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