中国电器科学研究院股份有限公司;清华大学深圳国际研究生院王俊获国家专利权
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龙图腾网获悉中国电器科学研究院股份有限公司;清华大学深圳国际研究生院申请的专利一种无烧结助剂的碳化硅陶瓷室温超快速场致烧结方法及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118290160B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410434799.9，技术领域涉及：C04B35/576；该发明授权一种无烧结助剂的碳化硅陶瓷室温超快速场致烧结方法及装置是由王俊;张峰榛;黎智;赵欣浩;王佳曦;王希林设计研发完成，并于2024-04-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种无烧结助剂的碳化硅陶瓷室温超快速场致烧结方法及装置在说明书摘要公布了：本发明公开一种无烧结助剂的碳化硅陶瓷室温超快速场致烧结方法及装置。该方法包括将碳化硅粉末经造粒、压片、排胶、预烧工序制成陶瓷生坯后进行烧结，其特征在于，所述烧结包括以下步骤：1将陶瓷生坯置于密封真空箱中，并在陶瓷生坯的两端设置电极，连接至交流电源；在密封真空箱中，所述陶瓷生坯的底部垫有氧化铝板，其上方也同时设有氧化铝板，上下的氧化铝板之间平行且由设在陶瓷生坯两侧的氧化铝块作支撑；2将密封真空箱内的气氛调节为＜1atm的惰性气氛；3开启电源，升高电压至陶瓷生坯发生沿面放电，使得陶瓷生坯电导率发生改变并产生电流通道，持续升高电压使电流密度至预定值，然后关闭电源，得到碳化硅陶瓷。
本发明授权一种无烧结助剂的碳化硅陶瓷室温超快速场致烧结方法及装置在权利要求书中公布了：1.一种无烧结助剂的碳化硅陶瓷室温超快速场致烧结方法，包括将碳化硅粉末经造粒、压片、排胶、预烧工序制成陶瓷生坯后进行烧结，其特征在于，所述烧结包括以下步骤： 1将陶瓷生坯置于密封真空箱中，并在陶瓷生坯的两端设置电极，连接至交流电源； 在密封真空箱中，所述陶瓷生坯的底部垫有氧化铝板，其上方也同时设有氧化铝板，上下的氧化铝板之间平行且由设在陶瓷生坯两侧的氧化铝块作支撑，形成陶瓷生坯的烧结腔室；其中，陶瓷生坯上方的氧化铝板与陶瓷生坯上表面的距离为3~5mm； 2将密封真空箱内的气氛调节为0.4~0.6atm的惰性气氛； 3开启电源，升高电压至陶瓷生坯发生沿面放电，使得陶瓷生坯电导率发生改变并产生电流通道，持续升高电压使电流密度至预定值，然后关闭电源，得到碳化硅陶瓷。
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