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龙图腾网获悉浙江丽水中欣晶圆半导体科技有限公司申请的专利一种钝化层高均匀性的外延硅片预处理系统及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118299289B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410306270.9，技术领域涉及：H10P72/00；该发明授权一种钝化层高均匀性的外延硅片预处理系统及方法是由徐新华设计研发完成，并于2024-03-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种钝化层高均匀性的外延硅片预处理系统及方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种钝化层高均匀性的外延硅片预处理系统及工艺，所述处理箱的底部固定设置有支架，本发明涉及硅片预处理技术领域。该钝化层高均匀性的外延硅片预处理系统及工艺，通过隔板机构、扰动板机构、抽吸机构以及伺服电机之间的配合，启动伺服电机，就能驱动抽吸机构工作，将处理箱内的氢氟酸溶液从下部抽吸出来，之后再通过各个扰动板机构喷出，向相邻的外延硅片表面进行冲击，同时将外部的气体抽吸进来，之后通过各个扰动板机构吹进氢氟酸溶液内，使氢氟酸更加均匀的接触到外延硅片表面，循环流动的氢氟酸溶液与通入的气体相互配合，实现高效清除外延硅片表面氧化物和杂质的目的，确保外延硅片表面的平整和均匀性。

本发明授权一种钝化层高均匀性的外延硅片预处理系统及方法在权利要求书中公布了：1.一种钝化层高均匀性的外延硅片预处理系统，其特征在于，包括： 处理箱，用于盛放氢氟酸溶液，所述处理箱的底部固定设置有支架，所述处理箱的内腔中部侧壁之间固定设置有隔板机构，所述隔板机构的底部从左到右均匀固定贯穿有若干导向框； 若干扰动板机构，用于喷出氢氟酸溶液和吹出气体，若干所述扰动板机构均匀固定连接在隔板机构的顶部； 抽吸机构，用于抽吸氢氟酸溶液和气体，所述抽吸机构设置在处理箱的前端； 两个外延硅片限位机构，用于夹固不同厚度的外延硅片，其中一个外延硅片限位机构设置在处理箱的内腔前壁上，另一个外延硅片限位机构设置在处理箱的内腔后壁上，所述处理箱的内腔前后壁从左到右均匀开设有若干竖槽，所述处理箱的内腔前后壁且位于每个竖槽的两侧均开设有横槽，所述抽吸机构的前端固定设置有伺服电机，所述处理箱的内腔侧壁之间固定设置有两个位于导向框下方的过滤网板，所述处理箱的左侧且位于每个过滤网板的上方均设置有密封盖，所述处理箱的左侧底部固定设置有排出管，所述排出管的右部固定设置有阀门； 所述隔板机构包括隔板，所述隔板的前端上部从左到右均匀开设有若干通液腔，所述隔板的顶部且位于每个扰动板机构的正下方从前到后均开设有若干L型出液孔，同一竖直截面所述L型出液孔与相邻通液腔相连通，所述隔板的前端下部从左到右均匀开设有若干通气腔，所述隔板的顶部且位于每个扰动板机构的正下方从前到后均开设有若干L型出气孔，同一竖直截面所述L型出气孔与相邻通气腔相连通； 每个所述扰动板机构均包括分隔竖板，所述分隔竖板的底部固定连接在隔板的顶部，所述分隔竖板的内部从前到后均匀开设有若干分支液腔，所述分隔竖板的内部从前到后均匀开设有若干分支气腔，若干所述分支液腔与若干分支气腔之间相互交错，所述分支液腔与对应L型出液孔相连通，所述分支气腔与对应L型出气孔相连通，每个所述分支液腔靠近导向框的一侧从上到下均固定连通有若干出液端组件，每个所述分支气腔靠近导向框的一侧从上到下均固定连通有若干出气端组件，所述出气端组件通过出液端组件等比例缩小形成。

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