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龙图腾网获悉宁城县工业和数字经济产业促进中心;北京科技大学申请的专利一种铜锚定硅缺陷蒙脱土基防腐材料制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118421162B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410556090.6，技术领域涉及：C09D163/00；该发明授权一种铜锚定硅缺陷蒙脱土基防腐材料制备方法是由赵环宇;米洪田;李红燕;王晓梅;刘颖慧;张颖利;韩亚坤;董连军;潘朋舒;宋益龙;张东卫;唐明华设计研发完成，并于2024-05-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种铜锚定硅缺陷蒙脱土基防腐材料制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种铜锚定硅缺陷蒙脱土基防腐材料制备方法，通过微量氢氟酸刻蚀蒙脱土，剥离层间硅原子制造表面空位，使层间带正电，以无机蒙脱土为载体，层间硅空位锚定铜离子以捕获导电高分子，实现在蒙脱土层间稳固原位聚合。以聚合物‑蒙脱土为填料，采用涂覆的方法制备了蒙脱土基复合防腐涂层。在涂层基体中添加层状蒙脱土不仅可以提供物理屏障，防止环境中的水、腐蚀离子扩散到基底中，还能使导电聚合物在涂层基体中保持良好的分散性和长期服役稳定性，起到电化学屏蔽的作用，从而避免腐蚀性物质与基底发生电化学反应的可能性，增加涂层的耐蚀性。制备方法、工艺简单、反应条件温和；原料及设备廉价易得，成本低；合成效率高，适合规模化生产。

本发明授权一种铜锚定硅缺陷蒙脱土基防腐材料制备方法在权利要求书中公布了：1.一种铜锚定硅缺陷蒙脱土基防腐材料制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 1铜锚定缺陷的蒙脱土粉体的制备，首先对蒙脱土进行表面刻蚀：在800-1000mL去离子水中加入65-80g蒙脱土，在80℃下搅拌至均匀混合，加入酸性调节剂并搅拌均匀，以调节pH至2-6，再以0.1mLs的速度加入HF水溶液进行搅拌，搅拌2-4h得到黄色沉淀物，离心洗涤黄色沉淀物并烘干研磨，得到具有硅空位的缺陷蒙脱土粉体，最后将得到的缺陷蒙脱土粉体加至80-100mL的5-10molL的硫酸铜溶液中，搅拌半小时后充分浸渍10-12h，抽滤粉体并烘干研磨，得到铜锚定缺陷的蒙脱土粉体； 2导电聚合物的插层，通过原位插层聚合法制备了铜锚定蒙脱土负载导电聚合物复合粉体：将步骤1中制备的10-40g铜锚定缺陷的蒙脱土粉体和0.8-1.5mol导电高分子单体加入400-800mL去离子水中搅拌均匀，随后以0.05mLs的速度向其中滴加引发剂水溶液，同时常温搅拌均匀，使导电高分子单体与铜离子牢固聚合，得到沉淀物，将沉淀物离心洗涤，进行烘干研磨，过200目筛，得到铜锚定蒙脱土负载导电聚合物复合粉体；所述导电高分子单体选自2-巯基苯胺，2-巯基吡啶，3-巯基噻吩中的一种； 3防腐材料的制备：将步骤2制备的3-8g的铜锚定蒙脱土负载导电聚合物复合粉体，加入80-100g环氧树脂溶解均匀，常温搅拌后加入环氧树脂固化剂搅拌，超声以消除气泡，得到铜锚定硅缺陷蒙脱土基防腐材料。

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