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龙图腾网获悉玄武石半导体(武汉)有限公司申请的专利一种基于带隙基准核心的预稳压电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118466660B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410672676.9，技术领域涉及：G05F1/56；该发明授权一种基于带隙基准核心的预稳压电路是由陈雨翔;王春来设计研发完成，并于2024-05-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于带隙基准核心的预稳压电路在说明书摘要公布了：本发明涉及一种基于带隙基准核心的预稳压电路，包括驱动管、高增益反馈、冲激保护电路、多路径启动与偏置单元、带隙基准核心、分压反馈电阻。当电路完成上电后，输出直流电压将完全取决于带隙基准核心和分压反馈电阻，而与输入电压无关。当输出电压发生变化，该误差电压将通过分压反馈电阻传递到带隙基准核心，经由高增益反馈路径调整高压PMOS驱动管状态，实现稳定输出。本发明解决了现有技术存在的输出电压精度低、负载驱动能力弱、电路可靠性低等问题，可以作为一般高压电源集成电路包括LDO与DC‑DC的高压预稳压电路。

本发明授权一种基于带隙基准核心的预稳压电路在权利要求书中公布了：1.一种基于带隙基准核心的预稳压电路，其特征在于，包括驱动管、高增益反馈、冲激保护电路、多路径启动与偏置单元、带隙基准核心、分压反馈电阻、输入端VIN、输出端VOUT、接地端GND；所述输入端VIN分别与所述冲激保护电路、所述多路径启动与偏置单元、所述高增益反馈、所述驱动管相连,所述驱动管采用高压PMOS管HP1；所述输出端VOUT分别与所述驱动管、所述高增益反馈、所述分压反馈电阻、所述多路径启动与偏置单元、所述带隙基准核心相连；所述多路径启动与偏置单元分别与所述冲激保护电路、所述高增益驱动、所述带隙基准核心相连；所述带隙基准核心与所述分压反馈电阻、所述高增益反馈相连；所述高增益反馈与驱动管相连；所述接地端GND分别与所述冲激保护电路、所述多路径启动与偏置单元、所述带隙基准核心、所述分压反馈电阻相连；所述高增益反馈包括第五PMOS管PM5、第一NMOS管NM1、第二高压NMOS管HN2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第一电容C1；所述输入端VIN通过所述第三电阻R3分别与所述高压PMOS管HP1的栅极、所述第二高压NMOS管的HN2漏极连接；所述第二高压NMOS管HN2的源极与所述第一NMOS管NM1的漏极连接；所述第一NMOS管NM1的源极与所述第五PMOS管PM5的漏极连接，并且与所述第四电阻R4、所述第五电阻R5顺次串联到所述接地端GND；所述第五PMOS管PM5的源极与所述高压PMOS管HP1的漏极连接，所述第五PMOS管的栅极与所述带隙基准核心连接；所述第一电容C1分别与所述第五PMOS管PM5的栅极和漏极连接；所述多路径启动与偏置单元包括第一电阻R1、第二电阻R2、第一二极管D1、第二二极管D2、第三二极管D3、第四二极管D4、第五二极管D5、第一高压NMOS管HN1、第三PMOS管PM3、第四PMOS管PM4、第三NPN三极管Q3；所述输入端VIN通过第一电阻R1与所述第一二极管D1、所述第二二极管D2、所述第三二极管D3顺次正向串联，所述第三二极管D3的阴极与所述接地端GND相连；所述第一高压NMOS管HN1的漏极通过所述第二电阻R2与输入端VIN相连，所述第一高压NMOS管HN1的栅极连接到所述第一二极管D1的阳极、所述第一高压NMOS管HN1的源极与所述第四二极管D4、所述第五二极管D5顺次正向串联，所述第五二极管D5的阴极与所述接地端GND相连；所述第三PMOS管PM3的源极与所述输出端VOUT连接、所述第三PMOS管PM3的漏极分别与所述第四PMOS管PM4的栅极、所述第三NPN三极管Q3的集电极连接；所述第四PMOS管PM4的源极与所述输出端VOUT连接，所述第四PMOS管PM4的漏极与所述高增益反馈连接；所述第三NPN三极管Q3发射极与所述接地端GND相连。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人玄武石半导体(武汉)有限公司，其通讯地址为：430000 湖北省武汉市武昌区中南路街道武珞路628号亚贸广场A座17层1-9号手拍手孵化器F116号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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