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龙图腾网获悉中国科学院金属研究所申请的专利一种利用原位反应法制备的轻质、宽频多孔碳化硅高温吸波材料获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118479907B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410603899.X，技术领域涉及：C04B38/06；该发明授权一种利用原位反应法制备的轻质、宽频多孔碳化硅高温吸波材料是由李处森;林立海设计研发完成，并于2024-05-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种利用原位反应法制备的轻质、宽频多孔碳化硅高温吸波材料在说明书摘要公布了：本发明涉及适用极端环境吸波材料的制备技术，具体地说是一种利用原位反应法制备的轻质、宽频多孔碳化硅高温吸波材料，属于材料工程领域。该方法以硅粉、碳化硅粉、高分子材料为基本原料，以超轻高分子颗粒为造孔剂，由树脂热解生成的碳与硅粉高温原位反应生成多孔碳化硅吸波陶瓷，调节反应烧结温度、烧结时间及硅粉粒径尺寸，改变生成α相碳化硅与β相碳化硅的比例，进而实现调控材料介电常数的目的。利用本发明制备的多孔碳化硅含有大量球形闭孔结构，可以有效降低体积分数、增加损耗机制，提高抗热震性能。本发明制备的多孔碳化硅陶瓷具有耐高温、抗烧蚀、宽频带吸波及易于异形构件一体化成型等特点。

本发明授权一种利用原位反应法制备的轻质、宽频多孔碳化硅高温吸波材料在权利要求书中公布了：1.一种利用原位反应法制备的轻质、宽频多孔碳化硅高温吸波材料，其特征在于，将硅粉、碳化硅粉、高分子材料机械搅拌及球磨制成混合物，再与超轻高分子颗粒机械搅拌后制成浆料，而后将其倒入成型模具中加热固化，脱模后再将多孔碳化硅陶瓷树脂基前驱体在真空或惰性气体保护炉中进行热解，得到碳基多孔陶瓷前驱体；再通过高温原位反应烧结将热解生成的碳和添加的硅粉反应生成碳化硅，生成的碳化硅再与添加的碳化硅粉相互融合，得到含有残余碳的多孔碳化硅陶瓷；再通过高温氧化，除去多孔碳化硅陶瓷中的残余碳，得到轻质、宽频多孔碳化硅高温吸波材料； 以硅粉、碳化硅粉、高分子材料为基本原料，以超轻高分子颗粒为造孔剂，制备过程如下： 1浆料配制 将硅粉、碳化硅粉、高分子材料、固化剂和乙醇按比例混合，经机械搅拌后球磨得到混合物，而后再将该混合物与超轻高分子颗粒按比例混合，再经机械搅拌后得到浆料；其中，硅粉粒径尺寸要求0.1~25μm，碳化硅粉粒径尺寸要求0.1~25µm，超轻高分子颗粒粒径要求0.1~5mm；按重量百分比计，硅粉20~70wt%，碳化硅粉2~28wt%，高分子材料20~50wt%，固化剂0.5~10wt%，超轻高分子颗粒1~5wt%，乙醇1~5wt%； 2预制体固化 将配制好的浆料倒入模具中，加热固化；固化条件：常压空气环境，固化温度60~160℃，保温时间0.5~5h；模具要求：与浆料接触面喷脱模剂或表面有聚四氟乙烯脱模涂层； 3热解 将多孔碳化硅陶瓷树脂基前驱体脱模并放在氩气、氮气或真空条件下进行热解，生成多孔碳化硅陶瓷碳基前驱体；其中，升温速率每分钟1~10℃，升温至600~1500℃，保温5min~2h； 4原位反应烧结 将热解后的多孔陶瓷碳基前驱体进行高温原位反应烧结，反应烧结在氩气气氛或真空条件下进行，升温速率为每分钟1~10℃，温度为1500~2100℃，保温0.5~5h，得到含有残余碳的多孔碳化硅陶瓷； 5氧化除碳 将含有残余碳的多孔碳化硅陶瓷在空气或氧气氛围，以每分钟2~10℃的升温速率升温至800~1000℃，保温0.5~2h，除去多孔碳化硅陶瓷内部残余的碳，得到轻质、宽频多孔碳化硅高温吸波材料； 调节反应烧结温度、烧结时间及硅粉粒径尺寸，改变多孔碳化硅陶瓷中生成α相碳化硅与β相碳化硅的比例，α相碳化硅与β相碳化硅的质量比例范围为1:1至4:1。

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