长江存储科技有限责任公司石艳伟获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利具有凹陷栅极晶体管的外围电路及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118645136B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410669922.5，技术领域涉及：G11C16/04；该发明授权具有凹陷栅极晶体管的外围电路及其形成方法是由石艳伟;王言虹;甘程;陈亮;刘威;夏志良;周文犀;张坤;杨远程设计研发完成，并于2021-06-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有凹陷栅极晶体管的外围电路及其形成方法在说明书摘要公布了：在某些方面中，一种存储器装置包括存储器单元的阵列以及耦接至所述存储器单元的阵列的多个外围电路。所述外围电路包括具有凹陷栅极晶体管的第一外围电路。所述外围电路还包括具有平坦栅极晶体管的第二外围电路。
本发明授权具有凹陷栅极晶体管的外围电路及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 衬底；以及 第一晶体管，所述第一晶体管包括： 第一阱，所述第一阱位于衬底中并且具有凹陷； 凹陷栅极结构，所述凹陷栅极结构具有凸出结构，所述凸出结构伸入到所述第一阱的所述凹陷中，并且所述凹陷栅极结构包括第一弯曲栅极电介质以及位于所述第一弯曲栅极电介质上的第一栅电极；以及 通过所述凹陷栅极结构隔开的第一源极和第一漏极， 其中，所述凸出结构沿第一方向包括第一端和第二端，所述第一端连接所述第一阱，并且所述第一端沿第二方向上的长度小于所述第二端沿所述第二方向上的长度；并且 其中，所述第一方向垂直于所述第二方向。
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