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龙图腾网获悉上海大学申请的专利一种环形振荡器单元电路及双重反馈环形振荡器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118659778B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410678514.6，技术领域涉及：H03L7/093；该发明授权一种环形振荡器单元电路及双重反馈环形振荡器是由张建华;丁占强;郭爱英;李俊;殷路桥设计研发完成，并于2024-05-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种环形振荡器单元电路及双重反馈环形振荡器在说明书摘要公布了：本公开提供一种环形振荡器及双重反馈环形振荡器，其中，环形振荡器包括：输入级、辅助输入级、正反馈锁存单元以及电流抽取正反馈系统；输入级接地，输入级用于通过NMOS输入输入信号；辅助输入级与电源VDDA连接，辅助输入级用于通过PMOS输入输入信号；正反馈锁存单元通过交叉耦合与输入级并联连接，正反馈锁存单元与辅助输入级并联连接，正反馈锁存单元用于减少静态电流；电流抽取正反馈系统分别与输入级、辅助输入级以及正反馈锁存单元并联，电流抽取正反馈系统用于加快波形建立。通过本公开，能够降低环形振荡器的功耗和相位噪声，并采用交叉耦合技术，增强输出信号的正交性，引入正反馈逻辑加速振荡波形的建立，提升振荡频率。

本发明授权一种环形振荡器单元电路及双重反馈环形振荡器在权利要求书中公布了：1.一种环形振荡器单元，其特征在于，包括：输入级、辅助输入级、正反馈锁存单元以及电流抽取正反馈系统； 所述输入级接地，所述输入级用于通过NMOS输入输入信号； 所述辅助输入级与电源VDDA连接，所述辅助输入级用于通过PMOS输入输入信号； 所述正反馈锁存单元通过交叉耦合与所述输入级并联连接，所述正反馈锁存单元与所述辅助输入级并联连接； 所述电流抽取正反馈系统分别与所述输入级、所述辅助输入级以及所述正反馈锁存单元并联，所述电流抽取正反馈系统用于加快波形建立； 其中，所述输入级包括晶体管M1和晶体管M2，所述晶体管M1和所述晶体管M2均为NMOS，所述晶体管M1的源极和所述晶体管M2的源极分别接地； 其中，所述辅助输入级包括晶体管M11和晶体管M12，所述晶体管M11和所述晶体管M12均为PMOS，所述晶体管M11的源极和所述晶体管M12的源极分别与所述电源VDDA连接； 其中，所述正反馈锁存单元包括晶体管M9和晶体管M10，所述晶体管M9和所述晶体管M10均为PMOS，所述晶体管M9的源极与所述晶体管M10的源极连接，所述晶体管M9的源极与所述晶体管M11的漏极连接，所述晶体管M9的栅极与所述晶体管M2的漏极连接，所述晶体管M9的栅极与所述晶体管M10的漏极连接，所述晶体管M9的漏极通过交叉耦合与所述晶体管M1的漏极连接，所述晶体管M10的源极与所述晶体管M12的漏极连接，所述晶体管M10的栅极通过交叉耦合与所述M1晶体管的漏极连接，所述晶体管M10的栅极与所述晶体管M9的漏极连接，所述晶体管M10的漏极与所述晶体管M2的漏极连接； 其中，所述电流抽取正反馈系统包括第一电流抽取正反馈系统，所述第一电流抽取正反馈系统包括所述晶体管M1、所述晶体管M2、晶体管M3和晶体管M4，所述晶体管M3和所述晶体管M4均为NMOS，所述晶体管M1的源极和所述晶体管M2的源极分别接地，所述晶体管M1的栅极与所述晶体管M3的源极连接，所述晶体管M3的栅极和所述晶体管M4的栅极分别与所述电源VDDA连接，所述晶体管M4的源极与所述晶体管M2的栅极连接； 其中，所述电流抽取正反馈系统还包括压控管，所述压控管用于控制振荡器的频率，所述压控管包括晶体管M7和晶体管M8，所述晶体管M7和所述晶体管M8均为PMOS，所述晶体管M7的栅极和所述晶体管M8的栅极分别与控制电压连接，所述晶体管M7的源极和所述晶体管M8的源极分别与所述电源VDDA连接，所述晶体管M7的源极与所述辅助输入级的晶体管M11的源极连接，所述晶体管M7的漏极与所述晶体管M4的漏极连接，所述晶体管M8的源极与所述辅助输入级的晶体管M12的源极连接，所述晶体管M8的漏极与所述晶体管M3的漏极连接； 其中，所述电流抽取正反馈系统还包括晶体管M5和晶体管M6，所述晶体管M5和所述晶体管M6均为PMOS，所述晶体管M5的栅极和所述晶体管M6的栅极分别接地，所述晶体管M5的源极与所述压控管的晶体管M7的漏极连接，所述晶体管M5的源极与所述晶体管M4的漏极连接，所述晶体管M5的漏极与所述输入级的晶体管M1的漏极连接，所述晶体管M6的源极与所述压控管的晶体管M8的漏极连接，所述晶体管M6的源极与所述晶体管M3的漏极连接，所述晶体管M6的漏极与所述输入级的晶体管M2的漏极连接。

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