北京北方华创微电子装备有限公司马亮获国家专利权
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龙图腾网获悉北京北方华创微电子装备有限公司申请的专利氮化硅薄膜及其制备方法、太阳能电池获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119040848B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310620158.8，技术领域涉及：C23C16/34；该发明授权氮化硅薄膜及其制备方法、太阳能电池是由马亮设计研发完成，并于2023-05-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本氮化硅薄膜及其制备方法、太阳能电池在说明书摘要公布了：本申请公开一种氮化硅薄膜及其制备方法、太阳能电池，其中氮化硅薄膜制备方法包括：向工艺腔室通入工艺气体并向所述工艺腔室加载射频功率以产生等离子体，所述工艺气体包含硅元素和氮元素，且所述硅元素和所述氮元素的比例范围为2‑4；在所述工艺腔室内的衬底上沉积形成氮化硅薄膜。本申请能够达到在衬底表面形成超高折射率的氮化硅薄膜的目的。
本发明授权氮化硅薄膜及其制备方法、太阳能电池在权利要求书中公布了：1.一种氮化硅薄膜制备方法，其特征在于，包括： 向工艺腔室通入工艺气体并向所述工艺腔室加载射频功率以产生等离子体，所述工艺气体包含硅元素和氮元素，且所述硅元素和所述氮元素的比例范围为2-4，使所述硅元素进入氮化硅膜层，与其中的硅原子形成团簇，提高所成氮化硅薄膜的折射率； 在所述工艺腔室内的衬底上沉积形成氮化硅薄膜； 所述工艺气体包括含硅气体、含氮气体和载气，所述载气不含氮元素。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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