清华大学孙洪波获国家专利权
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龙图腾网获悉清华大学申请的专利离子阱的制备系统，以及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119092386B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410967342.4，技术领域涉及：H01J9/00；该发明授权离子阱的制备系统，以及制备方法是由孙洪波;方红华;金奇奂;柴源;高尔夫;欧凌峰;乔木设计研发完成，并于2024-07-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本离子阱的制备系统，以及制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种离子阱的制备系统，该系统包括超快激光直写系统、化学蚀刻设备、高温退火设备和镀膜设备。超快激光直写系统使所述离子阱制备基材的目标区域改性，化学蚀刻设备去除离子阱制备基材中改性后的目标区域，得到所述离子阱的沟槽结构，高温退火设备对离子阱制备基材进行高温退火，以实现对离子阱的沟槽结构表面进行平滑处理，镀膜设备对离子阱制备基材的表面进行镀膜。本申请的技术方案能够更好地提升离子阱的加工精度，从而提高离子阱的整体性能。
本发明授权离子阱的制备系统，以及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种离子阱的制备系统，其特征在于，包括： 超快激光直写系统，所述超快激光直写系统包括激光器、激光扩束准直元件组、像差矫正元件组和物镜，所述激光器发射的激光光束经过所述激光扩束准直元件组进行扩束准直处理，以及所述像差矫正元件组进行像差矫正处理后，由所述物镜将激光光束进行会聚并投射到离子阱制备基材的目标区域，以使所述离子阱制备基材的目标区域改性； 化学蚀刻设备，用于去除所述离子阱制备基材中改性后的目标区域，得到所述离子阱的沟槽结构； 高温退火设备，用于对所述离子阱制备基材进行高温退火，以实现对所述离子阱的沟槽结构表面进行平滑处理； 镀膜设备，用于对所述离子阱制备基材的表面进行镀膜； 所述激光扩束准直元件组还包括扩束器、衰减器、准直镜组和反射镜组，所述准直镜组包括依次设置在光路中的准直透镜、二分之一波片和四分之一波片； 所述离子阱制备基材为透明介质。
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