日立能源有限公司D·吉隆获国家专利权
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龙图腾网获悉日立能源有限公司申请的专利将端子附接到半导体功率模块的绝缘金属基部结构的方法以及半导体功率模块获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119110984B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202380037568.8，技术领域涉及：H10W95/00；该发明授权将端子附接到半导体功率模块的绝缘金属基部结构的方法以及半导体功率模块是由D·吉隆;M·拜耳;A·罗斯奇;G·塞尔瓦托;F·菲舍尔设计研发完成，并于2023-03-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本将端子附接到半导体功率模块的绝缘金属基部结构的方法以及半导体功率模块在说明书摘要公布了：一种用于将端子4附接到用于半导体功率模块10的绝缘金属基部结构3的方法，包括提供至少一个端子4，以及提供绝缘金属基部结构3，该绝缘金属基部结构具有金属顶层17、金属底层19和布置在金属顶层17与金属底层19之间的绝缘树脂层18。该方法还包括提供烧结层5并将其耦接到金属顶层17和或至少一个端子4以形成用于至少一个端子4的烧结区域。该方法还包括使用烧结工具6通过烧结的方式将至少一个端子4耦接到金属顶层17，使得烧结层5布置在金属顶层17和至少一个端子4之间并将至少一个端子4连接到金属顶层17。
本发明授权将端子附接到半导体功率模块的绝缘金属基部结构的方法以及半导体功率模块在权利要求书中公布了：1.一种用于将端子4附接到用于半导体功率模块10的绝缘金属基部结构3的方法，包括： -提供耦接到壳体块8和或引线框的多个端子4， -提供所述绝缘金属基部结构3，所述绝缘金属基部结构3具有金属顶层17、金属底层19和布置在所述金属顶层17与所述金属底层19之间的绝缘树脂层18， -提供烧结层5并将所述烧结层耦接到所述金属顶层17的顶面171和或所述端子4各自的底面42，以形成所述端子4各自的烧结区域，以及 -通过烧结的方式将所述端子4耦接到所述金属顶层17，使得相应的烧结层5布置在所述金属顶层17和相关联的端子4之间，并将所述端子4连接到所述金属顶层17，其中所述端子4的耦接包括将所述壳体块8和或所述引线框耦接到所述绝缘金属基部结构3，使得用于烧结的预定压力作用在通过所述耦接施加的所述多个端子4上。
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