广州博森盾技术有限公司单永贤获国家专利权
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龙图腾网获悉广州博森盾技术有限公司申请的专利立方氮化硼薄膜结构、切削工具及其制造方法与设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119194354B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411363052.5，技术领域涉及：C23C14/06；该发明授权立方氮化硼薄膜结构、切削工具及其制造方法与设备是由单永贤设计研发完成，并于2024-09-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本立方氮化硼薄膜结构、切削工具及其制造方法与设备在说明书摘要公布了：本申请涉及薄膜结构、立方氮化硼薄膜结构、切削工具及其制造方法与设备，所述薄膜结构包括初步结合层‑中间结合层‑NCD；其中，所述初步结合层包括CrN及TiN中的一项；所述中间结合层包括氧化薄膜及氮氧薄膜中的至少一项。采用初步结合层例如氮化铬或氮化钛配合中间结合层再结合纳米多晶金刚石，在具有纳米多晶金刚石硬度的前提下，使得相关工具例如硬质合金表面的钴元素不会影响纳米多晶金刚石所形成的薄膜，从而无需去掉硬质合金表面的钴元素，进而在保持工具表面光滑度的前提下，避免了采用化学药液把硬质合金表面的钴元素去除的工艺，因此具有工序简单及污染小的优点。
本发明授权立方氮化硼薄膜结构、切削工具及其制造方法与设备在权利要求书中公布了：1.一种切削工具的制造方法，其特征在于，包括步骤： 提供切削工具基材； 采用电弧蒸发法于所述切削工具基材上形成初步结合层；其中，所述初步结合层包括CrN及TiN中的一项；其中，以CrN或TiN作为切削工具与中间结合层的初步结合层，以有利于增强附着力及保证NCD相对于切削工具的隔离度； 采用电弧蒸发法于所述初步结合层上形成中间结合层；其中，所述中间结合层包括氧化薄膜及氮氧薄膜中的至少一项； 采用微波化学沉积法于所述中间结合层上形成仅一层纳米多晶金刚石薄膜层； 采用高功率脉冲磁控溅射法于所述纳米多晶金刚石薄膜层上形成仅一层立方氮化硼薄膜层。
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