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龙图腾网获悉河北工业大学申请的专利一种常压化学气相沉积法生长多层及单层二碲化钨薄膜的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119220953B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411396618.4，技术领域涉及：C23C16/30；该发明授权一种常压化学气相沉积法生长多层及单层二碲化钨薄膜的方法是由张伟;谢昆池;李栋婵;李军设计研发完成，并于2024-10-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种常压化学气相沉积法生长多层及单层二碲化钨薄膜的方法在说明书摘要公布了：本发明为一种常压化学气相沉积法生长多层及单层二碲化钨薄膜的方法。该方法以碲粉、三氧化钨为前驱体，添加溴化钾作为辅助生长剂，三氧化钨在溴化钾的作用下生成挥发性更强的前驱体，解决了三氧化钨所需温度较高的问题；并通过双温区管式炉分别对碲源和钨源进行生长温度及时间控制，以SiSiO2衬底，氢氩混合气体为载气，通过调整前驱体之间的距离、生长温度和前驱体配比等，实现了二碲化钨薄膜厚度和形状的可控制备。本发明生长的二碲化钨薄膜具有优良的均匀性和较大的尺寸，且单层最大尺寸可达0.01cm2，对后续基础物理特性研究及高性能电子器件的制备具有重要的积极作用。

本发明授权一种常压化学气相沉积法生长多层及单层二碲化钨薄膜的方法在权利要求书中公布了：1.一种常压化学气相沉积法生长多层及单层二碲化钨薄膜的方法，其特征为包括如下步骤： S1、将SiSiO2衬底分别置于丙酮、异丙醇和去离子水中进行超声清洗；然后氮气吹干； S2、将碲粉放入第一石英舟中；将三氧化钨和卤化物的混合粉末放入第二石英舟的前端，混合粉末后0.5~1cm处依次排布n片SiSiO2衬底； 其中，碲粉和三氧化钨的质量比为2.6:1~1:1；三氧化钨与卤化物的质量比为10:1~1:1；卤化物为溴化钾；衬底之间的距离为0.2~0.5cm；n=1~3； S3、将第一石英舟、第二石英舟别放入化学气相沉积设备的第一温区和第二温区；并抽真空至8.0~8.5E-1Pa； 其中，第一石英舟、第二石英舟的间距为15~30cm； S4、向系统中通入氢氩混合气对生长管道进行吹扫直至升到常压，并打开大气阀门通道，在15~20分钟内，将第一温区和第二温区的温度分别从室温升高至550℃和750~880℃； 其中，氢气体积浓度为10%； S5、在设定温度下保持生长时间为5~10min； S6、生长结束后，在氢氩混合气的保护下，系统自然冷却至室温，从而在SiSiO2衬底上获得二碲化钨薄膜； 为当第一石英舟、第二石英舟的间距为15~17cm时，得到的二碲化钨薄膜为14~73层；间距18cm~20cm则是2~10层二碲化钨薄膜；间距22cm~30cm时得到的为单层二碲化钨薄膜。

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