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龙图腾网获悉安徽光智科技有限公司申请的专利锗基底2-13μm中远红外增透薄膜的设计方法以及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119247526B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411279967.8，技术领域涉及：G02B1/115；该发明授权锗基底2-13μm中远红外增透薄膜的设计方法以及制备方法是由蔡宇轩;刘克武;王振;李满仕;尹士平设计研发完成，并于2024-09-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本锗基底2-13μm中远红外增透薄膜的设计方法以及制备方法在说明书摘要公布了：提供一种锗基底2‑13μm中远红外增透薄膜的设计方法以及制备方法。锗基底2‑13μm中远红外增透薄膜的设计方法包括：选定6.5μm作为光学薄膜设计14波长膜厚的参考波长，使用膜堆公式：Sub0.04L0.3H0.1L0.3H0.2L0.2H0.3L0.1H0.5L0.03M0.2L0.2M0.15L0.6M0.02QAIR，Sub为锗基底，AIR代表空气，H代表14波长膜厚的Ge，L代表14波长膜厚的ZnS，M代表14波长膜厚的YF3，Q代表14波长膜厚的Y2O3；软件对膜厚优化，得最佳的膜厚，优化后的锗基底2‑13μm波段的透过率符合要求；将优化后的膜厚输入镀膜机的控制电脑。锗基底2‑13μm中远红外增透薄膜的制备方法包括：S1，镀前清洁及膜料准备；S2，膜系工艺参数配置；S3，抽真空烘烤及膜料预熔恒温；S4，离子源清洗；S5，膜层镀制及监控；S6，镀后恒温保持；S7，降温取件；S8，重复步骤S1至步骤S7，第二面镀制。

本发明授权锗基底2-13μm中远红外增透薄膜的设计方法以及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种锗基底2-13μm中远红外增透薄膜的设计方法，其特征在于，包括步骤： Sa，选定6.5μm作为光学薄膜设计14波长膜厚的参考波长，使用膜堆公式： Sub0.04L0.3H0.1L0.3H0.2L0.2H0.3L0.1H0.5L0.03M0.2L0.2M0.15L0.6M0.02QAIR， 其中，Sub为锗基底，AIR代表空气，H代表14波长膜厚的高折射率材料Ge锗，L代表14波长膜厚的中间折射率材料ZnS硫化锌，M代表14波长膜厚的低折射率材料YF3氟化钇，Q代表14波长膜厚的膜层最外层材料Y2O3氧化钇； Sb，通过设计软件对膜层膜厚进行计算优化，得到最佳的膜层的膜厚，优化后的锗基底2-13μm中远红外波段的透过率符合要求； Sc，将优化后的膜层的膜厚输入至镀膜机的控制电脑中； 在步骤Sb中，针对锗基底的两面中的每一面，最佳的膜层的膜厚为： 第一层ZnS膜层的膜厚为26.25±3nm， 第二层Ge膜层的膜厚为103.16±3nm， 第三层ZnS膜层的膜厚为71.92±3nm， 第四层Ge膜层的膜厚为102.24±3nm， 第五层ZnS膜层的膜厚为120.86±3nm， 第六层Ge膜层的膜厚为70.99±3nm， 第七层ZnS膜层的膜厚为185.15±3nm， 第八层Ge膜层的膜厚为33.83±3nm， 第九层ZnS膜层的膜厚为337.30±3nm， 第十层YF3膜层的膜厚为29.96±3nm， 第十一层ZnS膜层的膜厚为157.82±3nm， 第十二层YF3膜层的膜厚为204.99±3nm， 第十三层ZnS膜层的膜厚为95.64±3nm， 第十四层YF3膜层的膜厚为602.18±3nm， 第十五层Y2O3膜层的膜厚为20±5nm； 在步骤Sb中，优化后的锗基底2-13μm中远红外波段的透过率平均大于95%。

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