长鑫存储技术有限公司马丽获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构的制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119314873B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310835038.X，技术领域涉及：H10P50/24；该发明授权半导体结构的制作方法是由马丽;郗宁;曹硕;张鑫;丁健忠设计研发完成，并于2023-07-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的制作方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种半导体结构的制作方法，涉及半导体技术领域，用于解决有源区易倾斜的技术问题。该半导体结构的制作方法包括：在衬底上形成牺牲结构；刻蚀牺牲结构和衬底，衬底内形成多个间隔设置的有源区，且相邻有源区之间具有刻蚀副产物，牺牲结构形成对应设置在每个有源区上的凸台；湿法刻蚀去除刻蚀副产物，相邻的凸台远离衬底的部分区域相接触并粘附，与各凸台对应连接的各有源区相间隔且处于倾斜状态；去除凸台，各有源区解除倾斜状态，恢复直立。各有源区相间隔，便于反应气体的扩散，以及与凸台反应，以对凸台进行完全去除，避免有源区由于剩余凸台的粘附仍保持倾斜状态，避免有源区的倾斜。
本发明授权半导体结构的制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括： 在衬底上形成牺牲结构； 刻蚀所述牺牲结构和所述衬底，所述衬底内形成多个间隔设置的有源区，且相邻所述有源区之间具有刻蚀副产物，所述牺牲结构形成对应设置在每个所述有源区上的凸台； 湿法刻蚀去除所述刻蚀副产物，相邻的所述凸台远离所述衬底的部分区域相接触并粘附，与各所述凸台对应连接的各所述有源区相间隔且处于倾斜状态； 去除所述凸台，各所述有源区解除所述倾斜状态，恢复直立。
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